深圳振华航空半导体有限公司

    服务器存储芯片

    服务器存储芯片特征

    VDD=VDDQ=1.5伏±0.075伏

    1.5V中心终端推/拉I/O

    差分双向数据选通

    8N位预取架构

    差分时钟输入（ck，ck）

    8家内部银行

    名义和动态模具终端（ODT）

    对于数据、选通和屏蔽信号

    可编程CAS读取延迟（cl）

    发布的CAS附加延迟（AL）

    可编程CAS写入延迟（CWL）基于TCK

    固定爆破长度（bl）为8，爆破劈波（bc）为4

    （通过模式寄存器集[MRS]）

    可选BC4或BL8飞行（OTF）

    自我刷新模式

    温度为0°C至95°C

    –64ms，8192循环刷新0°C至85°C

    –32ms，8192循环，85°C至95°C时刷新

    自刷新温度（SRT）

    写调平

    多用途寄存器

    输出驱动器校准

    服务器存储芯片功能描述

    DDR3SDRAM采用双数据速率架构实现高速运行。

    双数据速率体系结构是一种8N预取体系结构，设计了一个接口在I/O管脚处，每个时钟周期传输两个数据字。读或写DDR3SDRAM的操作有效地由一个8N位宽、四个时钟周期组成。

    内部DRAM内核和八个相应的n位宽半时钟周期的数据传输I/O管脚处的数据传输。

    差分数据选通（dqs，dqs）与数据一起对外传输，用于用于DDR3SDRAM输入接收器的数据捕获。DQ与数据居中对齐用于写入。读取数据由DDR3SDRAM传输，边缘与数据频闪灯。

    DDR3SDRAM通过差分时钟（CK和CK）工作。CK的穿越上升和下降被称为CK的正边缘。控制，指挥，在CK的每一个正边缘都记录了地址信号。输入数据已注册在写前导码后的dqs的上升沿上，参考输出数据在读前导码后的个dqs上升沿。

    对DDR3SDRAM的读写访问是面向突发的。访问从选定的开始定位并继续编程中的多个位置顺序。访问从注册activate命令开始，即然后是读或写命令。注册的地址位与激活命令用于选择要访问的银行和行。地址与读或写命令同时注册的位用于选择突发访问的银行和起始列位置。

    该设备使用读写BL8和BC4。自动预充电功能可能是能够提供在脉冲结束时启动的自动定时行预充电访问。

    与标准DDRSDRAM一样，DDR3SDRAM的流水线多银行体系结构允许并发操作，从而通过隐藏行预充电提供高带宽以及激活时间。

    提供了自刷新模式以及节能、断电模式。

    公司介绍

    深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发，技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业，有着多年半导体市场营销及推广经验，振华航空集团创建于2004年，公司总部位于香港，在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。

    公司秉承的一贯宗旨：原厂原装，品质保证，视信誉为生命，以客户为中心，并推行30天无条件退货,不设采购量限制，不用客户承担任何运费。

    现已成为亚太地区混合型电子元器件（授权或非授权）分销商，先后被国内研究所和国企评为“中国军工行业优质供应商”。

    本公司主营的产品有ALTERA、XILINX、ADI、SAMSUNG、ATMEL、NXP、TI、MAXIM、LINEAR、AOS、AVX、PANASONIC、ROHM、TOSHIBA、FAIRICHILD、ST、ON等。

    为你寻找军品级、工业级、偏冷门、已停产的各种系列IC器件.所经营产品行销全国及世界各地。合理价格和热情的服务、帮助客户降低成本友好合作互惠互利是我们的宗旨。