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K4T51163QQ-BCF7可擦除芯片闪存主图
K4T51163QQ-BCF7可擦除芯片闪存参数
制造商IC编号K4T51163QQ-BCF7
厂牌SAMSUNG/三星
IC 类别DDR2 SDRAM
IC代码32MX16 DDR2
脚位/封装FBGA
外包装
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)1.8 V
温度规格0 C TO 95 C (TC)
速度133 MHZ
标准包装数量1280
标准外箱
潜在应用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC
K4T51163QQ-BCF7可擦除芯片闪存相关信息
当加在压敏电阻上的电压超过它的阈值时，流过它的电流激增，它相当于阻值无穷小的电阻。也就是说，当加在它上面的电压高于其阈值时，它相当于一个闭合状态的开关。
选用压敏电阻器前，应先了解以下相关技术参数：标称电压是指在规定的温度和直流电流下，压敏电阻器两端的电压值。漏电流是指在25℃条件下，当施加连续直流电压时，压敏电阻器中流过的电流值。等级电压是指压敏电阻中通过8/20等级电流脉冲时在其两端呈现的电压峰值。通流量是表示施加规定的脉冲电流（8/20μs）波形时的峰值电流。浪涌环境参数包括浪涌电流Ipm（或浪涌电压Vpm和浪涌源阻抗Zo）、浪涌脉冲宽度Tt、相邻两次浪涌的时间间隔Tm以及在压敏电阻器的预定工作寿命期内，浪涌脉冲的总次数N等。
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