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K4W1G1646E-HC12sd卡芯片价格主图
K4W1G1646E-HC12sd卡芯片价格参数
制造商IC编号K4W1G1646E-HC12
厂牌SAMSUNG/三星
IC 类别GDDR3 SDRAM
IC代码64MX16 GDDR3
脚位/封装FBGA
外包装
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)1.5 V
温度规格0°C to +85°C
速度标准
包装数量标准
外箱潜在应用LED APPLICATION/LED應用SATELLITE SYSTEM / SET-TOP-BOX/卫星系统/机頂盒
K4W1G1646E-HC12sd卡芯片价格相关信息
一般地说，压敏电阻器常常与被保护器件或装置并联使用，在正常情况下，压敏电阻器两端的直流或交流电压应低于标称电压，即使在电源波动情况坏时，也不应高于额定值中选择的连续工作电压，该连续工作电压值所对应的标称电压值即为选用值。对于过压保护方面的应用，压敏电压值应大于实际电路的电压值，一般应使用下式进行选择：VmA=av/bc式中：
a为电路电压波动系数;v为电路直流工作电压（交流时为有效值）;b为压敏电压误差;c为元件的老化系数，;这样计算得到的VmA实际数值是直流工作电压的1.5倍，在交流状态下还要考虑峰值，因此计算结果应扩大1.414倍。
（1）必须保证在电压波动时，连续工作电压也不会超过允许值，否则将缩短压敏电阻的使用寿命;（2）在电源线与大地间使用压敏电阻时，有时由于接地不良而使线与地之间电压上升，所以通常采用比线与线间使用场合更高标称电压的压敏电阻器。
压敏电阻所吸收的浪涌电流应小于产品的通流量。mov压敏电阻目前来说，mov压敏电阻在生活中的运用还是相对比较广泛的.
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