相关证件: 
会员类型:
会员年限:6年
IC编号:H5TQ2G83FFR-PBC 品牌:海力士 IC代码:256MX8DDR3 IC类别:DDR3SDRAM 封装:FBGA-78 电压(伏):1.5V
发布询价IC编号:H5TQ2G83FFR-PBC 品牌:SKHYNIX/海力士 IC类别:DDR3SDRAM IC代码:256MX8DDR3 封装:FBGA-78 电压(伏):1.5V 字数:256M
发布询价IC编号:K4T1G164QE-HIE6 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V
发布询价IC编号:K4T1G084QG-BCF8 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 密度:1g
发布询价IC编号:K4T1G084QG-BCF7 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 位组织:x8
发布询价IC编号:K4T1G084QF-BCE7 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V
发布询价IC编号:K4B2G0846Q-BCK0 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:256MX8 DDR3 脚位/封装:FBGA 电压:(伏)1.5 V
发布询价IC编号:K4B1G1646G-BCH9 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:64MX16 DDR3 外包装:TRAY 封装:FBGA-96
发布询价IC编号:HY5PS1G831CFP-S6 品牌:HYNIX/海力士 IC 类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V
发布询价