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MT47H128M8SH-25E:M镁光DDR内存 全新

IC 类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 脚位/封装:FBGA 外包装:TRAY 电压(伏):1.8 V 温度规格:0° ~ 70°C

MT41K128M16JT-125 IT:K镁光32g内存条 原装

品牌:MICRON/美光 IC 类别:DDR3LP SDRAM IC代码:128MX16 LPDDR3 脚位/封装:FBGA-96 电压(伏):1.35v 速度:1600 MT/s

台式机ddr3l内存 镁光热卖中

编号:MT41K128M16JT-125IT:K 产品种类:动态随机存取存储器 封装/箱体:FBGA-96 系列:MT41K 封装:Tray 商标名:Micron

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产品类型:DRAM 子类别:Memory&DataStora 安装风格:SMD/SMT 封装:Tray 封装/箱体:FBGA-96

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产品类型:DRAM 子类别:Memory&DataStora 安装风格:SMD/SMT 封装:Tray 封装/箱体:FBGA-96

数据芯片价格

品牌:MICRON Mouser编号:340-135718-TRAY 型号:MT41K128M16JT-125IT:K 产品种类:动态随机存取存储器 安装风格:SMD/SMT 产品类型:DRAM

单片机数据存储 MT41K系列 现货

制造商:Micron Mouser编号:340-135718-TRAY 产品种类:动态随机存取存储器 安装风格:SMD/SMT 产品类型:DRAM 子类别:Memory&DataStora

mp3存储芯片 MT41K128M16JT-125IT:K 热卖中

品牌:MICRON 安装风格:SMD/SMT 产品类型:DRAM 子类别:Memory&DataStora

海力士8gb内存 热卖款

品牌:HYNIX/海力士 ic类型:DDR2SDRAM ic代码:64MX16DDR2 封装:FBGA 电压:1.8V

海力士2g内存条价格 原装热卖

品牌:HYNIX/海力士 IC类别:DDR3LP SDRAM IC代码:512MX16 LPDDR3 封装:FBGA-78 外包装:TRAY 电压(伏):1.35v

海力士内存条ddr3 原装现货

品牌:HYNIX/海力士 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:256MX8 DDR3 外包装:TRAY 电压(伏):1.5 V 字数:256M

海力士内存

品牌:海力士 IC编号:H5TQ2G83FFR-PBC IC类别:DDR3SDRAM IC代码:256MX8DDR3 电压(伏):1.5V 字数:256M 密度:2g

海力士内存条

IC编号:HY57V561620CTP-H 品牌:HYNIX/海力士 IC类别:SDRAM IC代码:16MX16 SD 封装:TSOP2 外包装:TRAY

海力士内存条

IC编号:HY57V561620CTP-H 品牌:HYNIX/海力士 IC类别:SDRAM IC代码:16MX16 SD 封装:TSOP2 外包装:TRAY

8g海力士内存条价格

品牌:HHYNIX IC编号:HY57V561620CTP-H 外包装:TRAY 电压(伏):3.3 V 速度:133 MHZ 密度:256米

HY57V561620CTP-H阵列卡芯片 全新原装供应

IC编号:HY57V561620CTP-H 品牌:HYNIX/海力士 IC类别:SDRAM IC代码:16MX16 SD 封装:TSOP2 速度:133MHZ

K4M561633G-BN75存储芯片 原装供应

IC编号:K4M561633G-BN75 品牌:SAMSUNG/三星 IC代码:16MX16 LPDRAM IC类别:SDRAM-MOBILE-LP 封装:FBGA-54 外包装:TRAY

K4B1G0846G-BCK0内存条价格

IC编号:K4B1G0846G-BCK0 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:128MX8 DDR3 封装:FBGA 电压(伏):1.5 V

K4B2G0846Q-BCKO存储芯片 原装现货产品

IC编号:K4B2G0846Q-BCKO 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR3 SDRAM IC代码:256MX8 DDR3 电压:(伏)1.5 V 字数:256M

海力士内存ddr2

品牌:HHYNIX 型号:HY5PS1G1631CFP-S5 IC类别:DDR2SDRAM IC代码:64MX16DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8V

海力士DDR内存

品牌:HHYNIX 型号:HY5PS1G1631CFP-S5 IC类别:DDR2SDRAM IC代码:64MX16DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8V

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型号:HY5PS1G1631CFP-S5 品牌:SKHYNIX/海力士 IC类别:DDR2SDRAM IC代码:64MX16DDR2 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8V

K4T1G164QF-BCE7内存芯片 全新热卖中

品牌:三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 位组织:x16 密度:1g 电压(伏):1.8 V

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品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8 V 密度:1g

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品牌:三星 IC类别:DDR2SDRAM IC代码:64MX16DDR2 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8V 位组织:x16

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品牌:SAMSUNG/三星 型号:K4T1G164QG-BCE6 IC 类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V

DDR内存HY5PS561621AFP-25 质优价廉

品牌:海力士 IC 类别:DDR2 SDRAM IC代码:16MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V 型号:HY5PS561621AFP-25

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品牌:SAMSUNG IC 类别:DDR2 SDRAM 封装:FBGA IC代码:64MX16 DDR2 外包装:Tray 电压(伏):1.8 V

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品牌:SAMSUNG/三星 封装:BGA 类型:通信IC IC代码:32MX16DDR2 电压(伏):1.8V 位组织:x16

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品牌:SAMSUNG 类型:通信IC IC类别:DDR2SDRAM IC代码:32MX16DDR2 电压(伏):1.8V 脚位/封装:FBGA

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脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8V 位组织:x16 密度:512m 字数:32M 品牌:SAMSUNG

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型号:K4T51163QQ-BCF7 电压(伏):1.8V 字数:32m 密度:512m 位组织:x16 品牌:SAMSUNG/三星

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品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:GDDR3SDRAM IC代码:64MX16GDDR3 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.5V 字数:64m

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型号:MT41J128M16HA-125D 品牌:镁光 IC类别:DDR3SDRAM IC代码:128MX16DDR3 字数:128m 位组织:x16

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品牌:MICRON 类别:集成电路（IC） 内存类型:DDR3 SDRAM 格式-内存:RAM 内存大小:2g（128m x 16） 接口:并行

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类别:集成电路（IC） 包装:托盘 品牌:镁光 工作温度:0°C~95°C 速度:933兆赫 格式-内存:RAM

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品牌:镁光 型号:MT41J128M16JT-107:K 类别:集成电路（IC） 包装:托盘 速度:933兆赫 包装/箱:96-TFBGA