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   DDR内存工作原理介绍

   DDR SDRAM模块部分与SDRAM模块相比，改为采用184针(pin)，4～6 层印刷电路板，电气接口则由「LVTTL」改变为「SSTL2」。在其它组件或封装上则与SDRAM模块相同。DDR SDRAM模块一共有184个接脚，且只有一个缺槽，与SDRAM的模块并不兼容。 DDR SDRAM在命名原则上也与SDRAM不同。SDRAM的命名是按照时钟频率来命名的，例如PC100与PC133。而DDR SDRAM则是以数据传输量作为命名原则，例如PC1600以及PC2100，单位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其实与 PC1600 是相同的规格，数据传输量为 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s)，而 DDR266与PC2100 也是一样的情形(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)。

   DDR SDRAM 在规格上按信号延迟时间(CL；CAS Latency，CL是指内存在收到讯号后，要等待多少个系统时钟周期后才进行读取的动作。一般而言是越短越好，不过这还要看内存颗粒的原始设定值，否则会造成系统的不稳定)也有所区别。按照电子工程设计发展联合协会（JEDEC）的定义(规格书编号为JESD79)：DDR SDRAM一共有两种CAS延迟，分为2ns以及2.5ns(ns为十亿分之一秒)。较快的 CL= 2 加上 PC 2100 规格的 DDR SDRAM称作 DDR 266A，而较慢的 CL= 2.5 加上PC 2100规格的DDR SDRAM 则称作 DDR 266B。另外，较慢的 PC1600 DDR SDRAM 在这方面则是没有特别的编号。

   时钟频率

   它代表了内存所能稳定运行的频率。市场上看到的DDR内存有DDR533、DDR667、DDR800和DDR1333等。

   存取时间

   存取时间代表了读取数据所延迟的时间。以前人们有个误区，认为它和系统时钟频率有着某种联系，其实二者在本质上是有着显著的区别的，可以说完全是两回事。存取时间和时钟周期一样，越小则越优。

   CAS的延迟时间

   这是指纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。我们用CAS Latency(CL)这个指标来衡量。在这里需要友情提醒一下想在近期购买电脑的读者，Intel的处理器相对而言的对延迟时间不敏感，影响Intel处理器性能的主要是内存的时钟频率；而对AMD处理器而言，影响它的主要是CAS延迟时间，因此AMD平台的读者在这个参数上要多多注意。