美光2日宣布，quan球zui先进的DRAM（动态随机存取记忆体）技术1β（1-Beta） 节点正式量产出货，ling先三星一步。今年6月，美光就曾表示，1β会先在日本广岛量产，再逐步导入台湾厂区。

美光指出，目前1β 的量产已经全面就绪，开始为特定智能型手机制造商提供。1β单位功率更低，能让手机制造商则能以此为基础，设计出电池续航力更久的装置，满足消费者大多希望在使用耗能、资料密集型的应用时，希望电池续航力更持久的愿望。台湾美光董事长卢东晖表示，按照当前的情况来看，注重体验的高阶智能手机，将会率先采用。

当前在DRAM领域的市场三巨头，除了美光，另外两位分别为三星和SK海力士，后两者皆还停留在1α 阶段。然而，根据南韩媒体《BusinessKorea》今年4月的报导，由于三星在1β 的开发上遇到困难，因此直接决定跳过该节点，直接开发1c（对标美光1γ（gamma）），预计将在2022年底之前开发完成。

由于记忆体不断微缩，业界习惯透过1y、1z、1α、1β、1γ（由大到小）等方式，来称呼不同世代的记忆体。

1β节点指的是什么？优点在哪？应用有哪些？

在这样的竞争的局势下，1β是目前zui先进的DRAM 制程节点，具有低延迟、低功耗和高性能等特点，从智能车辆到资料中心都是可能的应用。

几十年来，随着每个制程节点的演进，半导体产业每一两年缩小芯片尺寸缩小yi次。然而随着芯片变得越来越小，电路图微缩便需要挑战物理极限。当前三星同等级的DRAM 产品（8.5Gb LPDDR5X DRAM）已使用了更精细的EUV曝光机台来制作DRAM ，不过美光并未跟进。

虽不采用EUV，但美光又能将更高的记忆体容量塞入更小的空间内，替客户节省了成本。美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer 表示：「要归功于美光du家的多重曝光微影和制程技术，以及先进的材料能力。」

1γ节点才会用EUV助力，美光：DRAM还有很大成长空间

至于何时美光才会采用EUV？今年6月时，卢东晖便在一场媒体见面会上表示，美光将可能会在1β后、更先进的1γ（1 gamma）节点时采用EUV。当时他指出：「现在是引入EUV的好时机，从曝光机、光罩到人员培训等生态系都已经成熟。」

虽然近期的半导体市场进入周期性的循环状态，卢东晖却一点都不担心，他表示：「美光在1γ引入EUV，就代表是对于DRAM有信心，不会只做一代。」从当前的车用、HPC（高速运算）发展的趋势来看，还有相当大的成长空间。

而在今年7月，美光才出货独步quan球的232 层NAND，达成公司史上首次在DRAM 和NAND 两个领域同时居于市场领导地位。虽然于市占率上还未能赶上记忆体龙头三星，但急起直追的雄心显而易见。

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