深圳振华航空半导体有限公司

    闪存存储器

    闪存存储器参数

    脚位/封装FBGA

    外包装TRAY

    无铅/环保无铅/环保

    电压(伏)1.5 V

    温度规格0° ~ 70°C

    速度800MHz

    标准包装数量1368

    字数128m

    位组织x16

    密度2g

    时钟频率800兆赫

    模具修订版J版

    生产状态生产

    产品系列DDR3 SDRAM

    闪存存储器一般注释

    讨论的功能和定时规范适用于DLL启用操作模式（正常操作）。

    在本数据表中，各种数字和文本均将DQ称为“DQ”。DQ将除非另有明确说明，否则解释为任何和所有DQ。

    本数据表中的术语“dqs”和“ck”应解释为Dqs、Dqs和CK、CK_，除非另有特别说明。

    2GB:x4、x8、x16 DDR3 SDRAM功能描述PDF:09005AEF826AAADC2gbddr3sdram.pdf版本Q 04/13 EN 12 Micron Technology，Inc.保留更改产品或规格的权利，恕不另行通知。

    2006 Micron Technology，Inc.保留所有权利。

    完整的功能可以在整个文档中描述；任何页面或图表可能已简化以传达主题，可能不包括所有要求。

    任何具体要求优先于一般声明。

    未明确说明的任何功能被视为未定义、非法和不受支持，可能导致未知操作。

    行寻址表示为[N:0]。例如，1gb:n=12（x16）；1gb:n=13（x4，x8）；2Gb:n=13（x16）和2Gb:n=14（x4，x8）；4Gb:n=14（x16）；和4Gb:n=15（x4，X8）。

    动态ODT有一个特殊的用例：当DDR3设备设计为在单列存储阵列，ODT球可以有线高，而不是路由。参考到动态ODT特殊用例部分。

    x16设备的DQ总线由两个字节组成。如果只有一个字节需要使用时，使用较低的字节进行数据传输，并按说明终止较高的字节：

    通过1KΩ*电阻将UDQ接地。

    通过1KΩ*电阻将UDQ连接至VDD。

    通过1KΩ*电阻将UDM连接至VDD。

    通过1KΩ电阻*或浮动将DQ[15:8]分别连接到VSS、VDD或VREF。

    DQ[15:8]。

    *如果使用ODT，1KΩ电阻应改为所选ODT的4倍。

    公司介绍：

    深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发，技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业，有着多年半导体市场营销及推广经验，振华航空集团创建于2004年，公司总部位于香港，在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。

    公司秉承的一贯宗旨：原厂原装，品质保证，视信誉为生命，以客户为中心，并推行30天无条件退货,不设采购量限制，不用客户承担任何运费。

    现已成为亚太地区混合型电子元器件（授权或非授权）分销商，先后被国内研究所和国企评为“中国军工行业优质供应商”。

    文化介绍

    振华航空的企业文化为“以人为本、诚信、务实、合作，奉献，创新，超越”。

    本公司主营的产品有ALTERA、XILINX、ADI、SAMSUNG、ATMEL、NXP、TI、MAXIM、LINEAR、AOS、AVX、PANASONIC、ROHM、TOSHIBA、FAIRICHILD、ST、ON等。为你寻找军品级、工业级、偏冷门。

    已停产的各种系列IC器件；所经营产品行销全国及世界各地。合理价格和热情的服务、帮助客户降低成本友好合作互惠互利是我们的宗旨。