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K9F5608UOB-PIBO闪存芯片主图

K9F5608UOB-PIBO闪存芯片参数

制造商IC编号K9F5608UOB-PIBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码32MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F5608UOB-PIBO闪存芯片相关信息

电容器组禁止带电荷合闸。

在交流电路中，如果电容器带电荷时再次合闸，则可能使电容器承受二倍以上的额定电压的峰值，这对电容器是有害的。同时，也会产生很大的冲击电流，有时使熔丝熔断或断路器跳闸。因此，电容器组每次拉闸之后，必须随即进行放电，待电荷消失后再进行合闸。从理论上讲，电容器的放电时间要无穷大才能放完，但实际上只要放电电阻选得合适，放电1min左右即可满足要求。所以运行规程中规定：电容器组每次重新合闸，必须在电容器组断开3min后进行，以利安全。

电容器组失压属于什么　　容器组失压属于故障。

系统失压本身不会损坏电容器，但是在系统电压短暂消失或供电短时中断时，可能发生下列现象使电容器发生过电压和过电流而损坏：

（1）电容器组失压后放电未完毕又随即恢复电压使电容器组带剩余电荷合闸，产生很大的冲击电流和瞬时过电压，使电容器损坏。

（2）变电站失压后恢复送电时若空载变压器和电容器同时投入，LC电路空载投入的合闸涌流将使电容器受到损坏。

（3）变电站失压后恢复送电时可能因母线上无负载而使母线电压过高造成电容器过电压。