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K9F5608UOB-YIBOsd卡芯片价格主图

K9F5608UOB-YIBOsd卡芯片价格参数

制造商IC编号K9F5608UOB-YIBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码32MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F5608UOB-YIBOsd卡芯片价格相关信息

金属薄膜电容器是在纸上直接蒸发一层金属薄膜作为电极，也叫金属化纸介电容器，电极是被蒸发上去的金属膜比铝箔薄得多，这种电容器的特点是具有自愈作用。如果电压过高，使电容器内部介质某一点被击穿，则短路电流会使介质损坏处的金属膜蒸发掉，从而避免两个极片间短路，使电容器继续工作。当然击穿的范围也不能太大，否则影响电容器的电容量。金属膜纸介电容器通常采用环氧树脂封装，所以防潮性能很好。

从原理上分析，金属膜电容不存在短路失效的模式，而金属箔式电容器会出现很多短路失效的现象。金属膜电容器虽有上述巨大的优点，但与金属箔式电容相比，也是有缺点的：

1、容量稳定性不如箔式电容器，这是由于金属化电容在长期工作条件易出现容量丢失以及自愈后均可导致容量减小，因此如在对容量稳定度要求很高的振荡电路使用，应选用金属箔式电容更好。

2、耐受大电流能力较差，这是由于金属化膜层比金属箔要薄很多，承载大电流能力较弱。为改变金属化薄膜电容器这一缺点，目前在制造工艺上已有改进的大电流金属膜电容产品。因为金属膜电容的抗阻性更加优异，且在可焊性和自复性质来说也让人满意，这样就大大节约了尺寸空间。