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深圳振华航空半导体有限公司
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产品信息
K9F1208U0B-PCB0闪存存储阵列主图
K9F1208U0B-PCB0闪存存储阵列参数
制造商IC编号K9F1208U0B-PCB0
厂牌SAMSUNG/三星
IC 类别FLASH-NAND
IC代码64MX8 NAND SLC
脚位/封装TSOP
外包装TRAY
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)2.7V-3.6V
温度规格0°C to +85°C
速度
标准包装数量
标准外箱
潜在应用LED APPLICATION/LED應用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC
K9F1208U0B-PCB0闪存存储阵列相关信息
类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化，下面以C0G介质为例。C0G介质的变化量仅0±30ppm/℃，实际上C0G的电容量随温度变化小于0±30ppm/℃，大约为0±30ppm/℃的一半。
根据美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：部分为（例如字母X）工作温度；第二位部分有效数字为工作温度；第三部分为随温度变化的容差（以ppm/℃表示）。
常见的Ⅱ类陶瓷电容器有： X7R、 X5R 、 Y5V、Z5U其中：
X7R表示为：位X为工作温度-55℃，第二位的数字7位工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；
X5R表示为：位X为工作温度-55℃，第二位的数字5位工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；
Y5V表示为：位Y为工作温度-30℃，第二位的数字5位工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%。
Z5U表示为：位Z为工作温度+10℃，第二位的数字5位工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%，
陶瓷电容器 （ceramic capacitor；ceramic condenser ） 就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。