深圳振华航空半导体有限公司

ddr1笔记本内存HY27UF082G2B-TPIB参数：

制造商IC编号HY27UF082G2B-TPIB

厂牌SK HYNIX/海力士

IC 类别FLASH-NAND

IC代码256MX8 NAND

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度标准

包装数量

标准外箱

潜在应用MODEM/数据机

ddr1笔记本内存HY27UF082G2B-TPIB相关概述：

分裂式绕组变压器是指每相由一个高压绕组与两个或多个电压和容量均相同的低压绕组构成的多绕组电力变压器。分裂变压器正常的电能传输仅在高、低压绕组之间进行，而在故障时则具有限制短路电流的作用。几个分支容量相同，额定电压相等或接近，可以单独运行或并联运行，可以承担相同或不同负载。当某一个低压绕组上所连接的负荷或电源发生故障时，其余低压绕组仍能正常运行。各分裂绕组之间没有电的联系，磁的耦合也相对较弱。分裂支路之间应具有较大的阻抗，而分裂路与不分裂绕组之间应具有相同的阻抗。