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K9F1208UOA-YIBO内存芯片商主图

K9F1208UOA-YIBO内存芯片商参数

制造商IC编号K9F1208UOA-YIBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码64MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F1208UOA-YIBO内存芯片商相关信息

随着电子行业的飞速发展，作为电子元器件，独石电容的国内外市场需求也越来越大，它因温度范围宽，体积小，电容量范围宽，额定电压高，介质损耗小，高频特性好，适应范围广泛等特点受各大厂商喜爱。那么独石电容是什么组成的呢？是怎么制作出来的呢？

独石电容器是多层陶瓷电容器的别称，独石电容器是以铌镁酸铅和复合钙钛型化合物为主要原料，制成浆料，经 轧膜、挤压或流延法形成生坯陶瓷薄膜，再经烘干、印刷内电极、叠片、切割、涂端头电极、烧结而成。它由内电极、SN、NI、端电极、外部分为端电极、陶瓷介质、高强度瓷介、陶瓷介质、内电极、涂层组成。

我国在80年代已经从美国引进独石电容的生产技术了，在高层数、高耐压、高可靠的产品性能方面跟世界先进的国家还存在一定的差距，但是可幸的是，常规电容的电性能及可靠性，和世界先进的国家已经相差无几了。独石电容的制造生产过程是一个非常复杂的过程，对原材料、生产的技术、设备的精度、生产的环境、生产的技术员等都有严格得要求。

独石电容生产的流程大致如下：先是瓷浆制造和准备，接着流延成膜，紧接着丝网叠印，再压缩切割，接着排胶并烧成结，倒角和无损探伤，封段烧银，电镀和电压处理，然后测试选出良好的，接着继续无损探伤，把选出来良好的进行稳定性、可靠性测试，合格的产品就可以包装入库了。