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深圳振华航空半导体有限公司
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相关产品
产品信息
K4T51163QG-BCF7内存ddr4报价主图
K4T51163QG-BCF7内存ddr4报价参数
制造商IC编号K4T51163QG-BCF7
厂牌SAMSUNG/三星
IC 类别DDR2 SDRAM
IC代码32MX16 DDR2
脚位/封装FBGA
外包装
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)1.8 V
温度规格0°C to +85°C
速度133 MHZ
标准包装数量
标准外箱
潜在应用
K4T51163QG-BCF7内存ddr4报价相关信息
各个厂家的电力电容器的使用寿命都是不同的，拿库克库伯并联电力电容器来说，使用寿命15年以上，这个数值是经过数万次的实验得出来的。
电力电容器是专门为用于补偿系统中而开发的，电网条件已经发生急剧变化，选择正确的电容器技术越来越重要。
电力电容器的使用寿命取决于以下因素：
过载情况下的连续工作时间
环境温度及相应的箱壳温度
有效电流及相应的箱壳温度
电压及其持续时间
各要素所计算出来的使用寿命是对标称工作条件而言，若需强调的因素少于以上IEC 60831所列出的参数，那么电容器具有较长使用寿命，相应的，当超过允许的参数时，寿命会缩短而故障率增加。
我们配电系统中的谐波负载在持续增长。在可预知的将来，可能只有组合电抗类型的补偿系统会适合使用。
