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K4B2G1646C-HCK0存储卡芯片主图

K4B2G1646C-HCK0存储卡芯片参数

制造商IC编号K4B2G1646C-HCK0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码128MX16 DDR3

脚位/封装FBGA

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度PC-1600

标准包装数量1280

标准外箱

潜在应用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K4B2G1646C-HCK0存储卡芯片相关信息

在过去的几年中，内存价格一路飙升。 他们终于降到了更合理的水平，但现在是时候展望未来了。主要制造商将很快发布他们的个 DDR5（双倍数据速率 5）内存模块，带来更高的带宽和更低的功耗。它们很可能是昂贵的，因为新的内存标准通常是，但它们将迎来新一代的高速内存，这将很难超越现有的标准。

定价和可用性经过多年的挑逗，主要内存制造商三星和 SK 海力士都在 2019 年初宣布将在今年年底之前推出基于 DDR5 的产品。两家公司都在国际固态电路会议上发布了公告， 并提供了有关新标准的基本细节。

三星主要专注于讨论移动设备中 DDR5 的实现，而 SK 海力士更热衷于探索台式机和笔记本电脑中 DDR5 的潜力。两人都声称我们会在今年年底之前看到设备和系统中实现的新内存。

没有提到成本，但通常新的内存标准比它们的前辈花费更多。虽然近年来 RAM 短缺震撼了典型范例，但大容量仍然是您可以购买的昂贵的内存。由于 DDR5 更加密集，并且能够以与 DDR4 类似的外形尺寸实现更大容量的存储器，因此它也可能更加昂贵。

这意味着 DDR5 的扩散需要一些时间。SK 海力士表示，预计到 2021 年 DDR5 将占据内存市场的 25％，而到 2022 年将达到 44％。