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K9F2G08U0M-PIB0手机用存储芯片主图

K9F2G08U0M-PIB0手机用存储芯片参数

制造商IC编号K9F2G08U0M-PIB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码256MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K9F2G08U0M-PIB0手机用存储芯片相关信息

在推进DRAM的制造技术上，三星、SK海力士和美光这三大玩家从来没有停止过前进的步伐。

据悉，新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率，达到DDR4规格内速度；同时在功耗方面，与上一代相同容量模组相比，降低了约40％；此外，与上一代1Y纳米产品相比，其产能提升约27％，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。

值得指出的是，第三代产品使用了上一代生产过程中未使用的新材料来增加电容，而随着电容的增加，存储数据的保留时间和一致性也会增加，因而稳定性得以提升。

对于产品的商用，SK海力士表示将在年内做好批量生产的准备，并于2020年开始全面供应，以积极响应市场需求。此外，它计划将第三代1Z纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域，包括下一代移动DRAM LPDDR5和端DRAM HBM3等。

Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。

2019年9月5日，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。