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K9F4G08UOD-SIBO1600ddr3l笔记本内存主图

K9F4G08UOD-SIBO1600ddr3l笔记本内存参数

制造商IC编号K9F4G08UOD-SIBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码512MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F4G08UOD-SIBO1600ddr3l笔记本内存相关信息

敢于亮剑目前，韩国的三星和海力士，以及美国美光，这三家企业占据了 90%以上的 DRAM 市场份额，呈现寡头竞争格局。可以期待的是，在存储芯片领域（IDM 模式），国内三位探路者已经点燃了“星星之火”。 2016 年，长江存储在 NOR Flash 晶圆制造商武汉新芯的基础上，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资组建而成，负责国家存储器基地项目（总投资约为 240 亿美元）的研发、建设和运营。长江存储于 2017 年研制成功中国颗 3D NAND 闪存芯片。2018 年 8 月公开发布其突破性技术——XtackingTM。据中国证券报记者了解，尽管 32 层 3D NAND 已有小批量生产，但大批量生产并不在长江存储的计划之内，其瞄准的是与巨头缩小差距，尽快追上 64 层甚至 128 层的水平。

值得一提的是，2015 年紫光集团试图以 230 亿美元收购美光，借此进入 DRAM 和三维闪存领域，但终未能如愿。 2016 年 5 月，长鑫存储在安徽合肥成立。2017 年 10 月，主营产品包括 NOR Flash 的 A 股公司兆易创新发布公告，与合肥市产业投资控股有限公司签署合作协议，约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程 19nm 存储器的 12 英寸晶圆存储器（含 DRAM 等）研发项目，项目预算约为 180 亿元。今年 5 月 15 日，长鑫存储董事长朱一明表示，公司已累计投入 25 亿美元研发费用，建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。