深圳振华航空半导体有限公司

K9F5608UOC-PIBO存储芯片经销商主图

K9F5608UOC-PIBO存储芯片经销商参数

制造商IC编号K9F5608UOC-PIBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码32MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F5608UOC-PIBO存储芯片经销商相关信息

生产方面，和晶圆代工、封装测试建立稳定而深入的战略合作关系，实现互利共赢。

资本方面，充分利用资本市场实现跨越式发展，为长期可持续发展奠定基础。

在谈到东芯未来的 3-5 年规划时，陈磊谈到，公司首先还是要做好产品的品质，这个是我们的立足根本。在 NOR FLASH 领域，产品发展已经做的很完善了。我们目前着眼于 NAND FLASH，包括大容量的 NAND FLASH 的产品布局，还有就是我们的 DRAM 产品，我们希望可以在后两者上多下苦功，给我们的客户带来更多 EPN，更有性价比的产品，帮助我们的客户实现更多的设计功能。

存储技术未来该如何发展？陈磊认为：“范围对新的存储器技术的研发一直没有停止过，我们现在看到的，比如 3D Xpoint，RRAM，FeRAM，MRAM, PCM 等都是过去数十年的投入，到今天才算开花结果。现在国内也有公司在做新一代的存储器产品，包括和海外合作。简单的说，新一代存储器要解决的问题，就是“非掉电易失性”和容量 / 性能的问题。我们需要更大容量，更高密度的存储器，同时性能（读写速度，擦写次数，功耗等）也要更好。在一些特定产品领域，如嵌入式（主要是微控制器），新一代的存储器也要考虑工艺制程的微缩，现在的逻辑工艺可以做到 7nm，甚至 5nm，那存储器的工艺如何跟上，这方面譬如 MRAM, RRAM 都是比较适合的。”