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K9F2G08UOC-SIBO存储器芯片报价主图

K9F2G08UOC-SIBO存储器芯片报价参数

制造商IC编号K9F2G08UOC-SIBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码256MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F2G08UOC-SIBO存储器芯片报价相关信息

一个国家的高科技产业如果落后，就很容易被“卡脖子”。半导体芯片是制造业之一，中国的芯片进口额已经超过原油进口额，成为大进口物资，每年的进口规模超过 2000 亿美元。在动态存储芯片(DRAM)方面，为了尽快突破技术垄断，实现独立自主，摆脱完全依赖进口的局面，近年来，中国大陆开启 DRAM 产业战略布局，引起行业关注。

当前， DRAM 产业呈现寡头垄断态势，中国参与竞争后注定会面临诸多困难和挑战。需要注意的是，一定要把技术掌握在自己手里，才有做大做强的基础。回顾当年，台湾 DRAM 产业没有能够成功，就是吃了没有技术的亏，留下的惨痛教训值得我们警醒。

前车之鉴

台湾的 DRAM 产业发端于 1983 年与美国合作研发内存。经过上世纪九十年代行业的迭代更新，直到 2006 年，台湾仅存六家 DRAM 厂商，其中三家为自主品牌，另外三家为代工厂。2008 年，金融危机爆发，内存价格全面崩盘，重创台湾 DRAM 产业。后来，各厂商纷纷转型。2015 年，美光收购华亚科技大半股份，台湾 DRAM 独立经营之路终结。

放弃自主研发留下惨痛教训 产业溃败成就“台湾存储教父”？2019-08-23 11:05 预计 12 分钟读完一个国家的高科技产业如果落后，就很容易被“卡脖子”。半导体芯片是制造业之一，中国的芯片进口额已经超过原油进口额，成为大进口物资，每年的进口规模超过 2000 亿美元。在动态存储芯片(DRAM)方面，为了尽快突破技术垄断，实现独立自主，摆脱完全依赖进口的局面，近年来，中国大陆开启 DRAM 产业战略布局，引起行业关注。

当前， DRAM 产业呈现寡头垄断态势，中国参与竞争后注定会面临诸多困难和挑战。需要注意的是，一定要把技术掌握在自己手里，才有做大做强的基础。回顾当年，台湾 DRAM 产业没有能够成功，就是吃了没有技术的亏，留下的惨痛教训值得我们警醒。

前车之鉴