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K9K1G08U0A-PCB0服务器ecc芯片主图

K9K1G08U0A-PCB0服务器ecc芯片参数

制造商IC编号K9K1G08U0A-PCB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码128MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9K1G08U0A-PCB0服务器ecc芯片相关信息

谁将受益？

存储器涨价，利益受损的肯定是包括 DIY 装机者在内的广大消费者。那么，谁又会成为的赢家呢？据证券时报报道，三星现已率先对工厂顾客涨价，涨价涉及的品类为 DDR3、EMMC 和 Nand Flash。特别是三星 8GB、16GB EMMC 近价格涨幅较大，均在 10％ 左右。短期来看，明明是日本制裁韩国，反倒让被制裁的三星成为了受益者。

当然，三星的现状是暂时的。据悉，三星的原料备货仅够一两个月使用。三星电子副会长李在镕在日本启动对韩出口限制措施后，时间赴日寻求原料供应。据韩国报道：“李在镕这次访日并未解决任何关于材料供应的问题。三星电子的相关部门确实通过集思广益、到处打听，得到了一些供货，可以解决眼下之急，但目前还不足以完全安心”。

目前， 75％ 的 DRAM 产能和 45％ 的 NAND 产能都来自于韩国公司三星和 SK 海力士。很多人认为，一旦韩系厂商内存供应出问题，那么大家的订单将会转向非韩系厂商，促成另外的厂商业绩大增，同时营收大涨。现在，除三星、SK 海力士外，的内存厂商就是美光了，一旦日韩贸易战拖延过久，美光势必会成为的受益者。

另外，中国公司的 DRAM 和 NAND 生产线正在紧锣密鼓的建设中。据介绍，合肥长鑫 19nm 工艺 8Gb LPDDR4 内存将在今年年底建成投产；福建晋华 DRAM 工厂将在 2020 年建成投产；武汉长江存储也已完成武汉厂的建设，并有限投产 32 层 NAND 产品。若是三星、SK 海力士两大行业巨头受困于日韩贸易战，市场会出现巨大产能缺口，这些都将是中国厂家的机会。

无论是阴谋还是阳谋，存储器产品价格上涨的趋势已然形成。DIY 玩家心中就是再难受，也不得不接受。毕竟，内存产业还是卖家市场，市场上的风吹草动都能成为内存厂家涨价的理由，普通消费者完全没有话语权。