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K9HCG08U1M-PIBO内存芯片商主图

K9HCG08U1M-PIBO内存芯片商参数

制造商IC编号K9HCG08U1M-PIBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码8gx8 nand mlc

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9HCG08U1M-PIBO内存芯片商相关信息

内存涨跌“波浪线”

众所周知，科技界有个的摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18－24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换句话说，相同性能的数码硬件，每隔 18－24 个月就会便宜许多。然而，内存芯片类产品并非如此，受到市场影响，内存价格始终上下波动。

内存的正式名字叫做“存储器”，是半导体行业三大支柱之一。一直以来，攒机界关心的都是 CPU 与 GPU ，这些运行处理硬件决定了组装机性能的上限。而如何将这些性能完美的发挥出来，存储芯片提供的读取速度能力就将是重要影响因素之一。存储芯片整个市场中 DRAM 产品占比约 53％，NAND Flash 产品占比约 42％ ，Nor Flash 占比仅有 3％ 左右。

纵观过去几年时间“存储器”市场的行情，你会发现“存储器”的涨跌规律像一条波浪线循环着：2012 年前后白菜价、2013 年大涨价、2014 年有所回落、2015 年接近低谷、2016 年中旬开始持续上扬、2017 年 、2018 年到达顶点、2019 年有所回落。到今年 4 月份，“存储器”的价格相比去年年末已经下跌 30％ 以上了， DRAM 产品的价格甚至创下三年多以来的新低。

导致年初内存跌价的原因有很多，内存产量增大、大数据中心需求降低都是原因之一。按照内存涨跌“波浪线”的规律，每当内存开始跌价，内存工厂总会有意外事件发生。2013 年，“海力士半导体”无锡工厂发生火灾，大火产生的浓烟数十公里外可见。因火灾导致 DRAM 价格走升、也就造就了 2013 年内存价格的大涨。

2016 年，内存价格再次萎靡不振。三星、美光、SK 海力士、东芝等厂商同时开始技术升级，内存转向 20nm 以下制程、闪存也从 2D 闪存转向 3D 闪存，并不断提升堆栈层数。升级过程中，产能大幅下降，一定程度上催生了连续三年的内存大涨价。