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K9K8G08UOE-SIBOddr笔记本内存价格主图

K9K8G08UOE-SIBOddr笔记本内存价格参数

制造商IC编号K9K8G08UOE-SIBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码1GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9K8G08UOE-SIBOddr笔记本内存价格相关信息

中国芯片制造存在诸多挑战，究竟是何原因？2019-06-14 14:11 预计 7 分钟读完据报道，由于美国政府将华为技术有限公司列入贸易黑名单，禁止美国公司与其开展业务，这促使中国领导人大胆地谈如何在关键半导体业务的自给自足。

但业内人士对中国芯片厂商迅速崛起以满足华为和其他国内科技公司所有需求的愿景不容乐观。

中国芯片公司在提供给以科技为重点的股票交易所（科创板）的招股说明书力是直言不讳，那就是是国内产业“相对落后”，缺乏人才，需要“长时间赶上”。

分析师也指出，中国仍然依赖美国，台湾，韩国，日本和欧洲的技术的许多领域，并质疑政府的政策是否适用在正确的地方。

“与设备，材料或人才的限制相比，我认为中国缺乏的是对行业的理解，”上海咨询公司 ICWise 分析师顾文军表示。他称这个行业的一些政府补贴“适得其反”，因为太多资金充足的企业终会追逐同样的人才。

中国某芯片设计公司的前工程师透露，该公司经常被鼓励使用国内公司的芯片。但很多时候国内的公司无法提供足够先进的技术。

“我们所给出的内部说法都是我们先看看国产芯片，因为我们确实想支持中国的供应链'，”工程师说。“但我们从来没有得到任何我们可以使用的东西。”而相关公司没有回应评论请求，路透社表示。