深圳振华航空半导体有限公司

K9LAG08U0A-PCB0海力士ddr3内存主图

K9LAG08U0A-PCB0海力士ddr3内存参数

制造商IC编号K9LAG08U0A-PCB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码2GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9LAG08U0A-PCB0海力士ddr3内存相关信息

3D NAND的出现也是因为2D NAND无法满足人们的需求。NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC几种类型之分，为了提高其容量、降低成本，NAND的制造工艺也在不断进步，厚度开始不断降低，但NAND闪存和处理器还是有很大不同的。虽然先进的工艺带来了更大的容量，但是其可靠性和性能却在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，其可靠性也就越差，厂商就需要采取额外手段弥补这一问题，这必然会提高成本，以至于在达到某个点之后完全抵消掉制造工艺带来的优势。

3D NAND将思路从提高制造工艺转移到了堆叠更多层数，这样就可以兼顾容量、性能和可靠性了。但随着3D NAND的兴起，在价格和竞争压力期间，3D NAND供应商正准备迎接新的战斗，相互竞争下一代技术。

NAND美日韩垄断局面2016年半导体的销售额之和为3389．31亿美元，其中集成电路为2766．98亿美元，占82％。但存储器市场容量约780－800亿美元，占半导体市场的23％，是仅次于逻辑电路的第二大产品。

从存储器的种类看，主要分DRAM和Flash，2016年DARM市场容量约414亿美元，NAND Flash约346亿美元，Nor Flash市场容量较小，约33亿美元。据预测2017年，DRAM市场将达到720亿美元的规模，DRAM预计将成为2017年半导体行业的单一产品类别，超出NAND闪存市场222亿美元。根据OFweek分析师整理的调查显示，目前全世界前十大半导体厂商中，从事内存和闪存芯片的设计与制造的，主要有5家：三星电子、SK 海力士、英特尔、镁光科技、东芝半导体，韩国和美国的厂商，几乎已经垄断了的存储器市场。