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K9GBG08U0B-SCB0闪存存储阵列主图

K9GBG08U0B-SCB0闪存存储阵列参数

制造商IC编号K9GBG08U0B-SCB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码4GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用

K9GBG08U0B-SCB0闪存存储阵列相关信息

存储市场被三星、美光、海力士纷纷看衰，会给中国存储芯片事业带来哪些影响？

继手机业务在华遭遇“滑铁卢”后，1 月 8 日，的存储器厂商韩国三星电子发布 2018 年第四季度初步财报，业绩将大幅低于此前预期。

三星电子表示，第四季度盈利减少主要受存储芯片需求低迷影响，并预计 2019 年季度业绩将保持低迷。

此前，美国存储器大厂美光公司、韩国 SK 海力士纷纷表示，2019 年 DRAM 和 NAND 需求将减弱、价格下跌，并调整营收或减少投资。

中国存储行业几大重点企业正在不断增加产能，合肥长鑫已于去年投产，福建晋华、长江存储正加速投产。然而，需求低迷、存储芯片价格下跌，可能会给刚刚起步的中国存储芯片事业带来挑战。

1 月 8 日，据 CNBC 报道，三星电子当天表示，由于其内存芯片业务需求低迷以及智能手机市场竞争加剧，其第四季度盈利可能大幅下滑。

三星电子预计，去年第四季度营业利润 10.8 万亿韩元（合 96.7 亿美元），低于分析师预测的 13.2 万亿韩元，这比上一季度下降 38.5%；2018 年四季度销售额 59 万亿韩元，低于分析师预测的 62.8 万亿韩元，比第三季度下降近 10%。

“内存业务需求低于预期导致出货量下降，内存芯片价格出现显著下降”三星电子称，此外，因智能手机市场基本停滞，营收费用也导致其盈利能力下降。受存储芯片影响，预计季度业绩将保持低迷。