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K9NBG08U5A-PCBO服务器ecc芯片主图

K9NBG08U5A-PCBO服务器ecc芯片参数

制造商IC编号K9NBG08U5A-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码4GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9NBG08U5A-PCBO服务器ecc芯片相关信息

01全闪存储与混闪存储有啥区别？

存储阵列根据软件栈和硬件设计的区别，分为全闪和混闪两种存储形式，混闪是一种使用SSD作为性能提速层，一般如二级缓存、自动分层技术；HDD作为主要存储介质的使用，通过SSD与HDD的混合使用，达到存储性能提升的目的。而全闪存储是软件栈全面针对SSD介质进行优化，同时使用SSD作为存储介质的存储系统，充分利用SSD介质的低延迟和高IOPS等优势，为客户的生产业务提供有力的支撑和性能保障，除此之外，HDD和SSD的原理差异，也导致全闪阵列的功耗可以更低，工作温度范围更大，也不必过于担心在一些特殊环境下的物理震荡、冲击带来的存储系统安全影响。

02全闪or混闪，应该怎么选？

目前国内的全闪存储应用场景已经从对于响应延迟要求低、高IOPS的交易系统扩展到了一般行业业务，越来越多如政府、医疗、教育、能源等客户会选择适合自己业务的全闪存储，如传统行业金融系统中的联机交易、网银、ODS，以及运营商的Billing系统和CRM系统，这些系统通常要求存储系统的性能可达到5000-6000 IOPS/TB，传统存储通过机械硬盘难以支撑，而近些年来，一般的传统应用等非交易系统也逐渐使用全闪阵列，如高校、医疗、交通、政府等各个行业都有扩展。总而言之，对于IOPS/TB要求高同时响应延迟较低的业务建议使用全闪存储，但由于受到预算或者容量要求较大的业务，也可以使用混闪来替代全闪。