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K9W8G08U1M-PCBOddr笔记本内存价格主图

K9W8G08U1M-PCBOddr笔记本内存价格参数

制造商IC编号K9W8G08U1M-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码1GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9W8G08U1M-PCBOddr笔记本内存价格相关信息

业界都说SSD寿命短？

刚才也提到了，很多客户经常会问到SSD寿命短的问题，其实对于SSD介质的寿命延长，浪潮自研SSD做了相当大的工作，在算法上，映射表优化、介质磨损均衡算法、自适应的垃圾回收算法，可变条带的RAID5 SSD内数据恢复算法，数据定期巡检算法，针对坏块管理的算法，根据客户业务场景的闪存管理算法，SSD内元数据的多级备份保护机制，对SSD日志的快照保护、掉电保护，以及SSD内数据损坏的快速数据恢复都是保证浪潮自研SSD的寿命延长方法，经过实测，浪潮自研SSD介质配合浪潮全闪存储的软件栈优化算法，可以实现全流程的写放大小于1，使得SSD寿命可以正常使用长达5-10年，配合AIOps的智能运维管理，保证SSD的安全可靠，从而保护客户数据的安全性和存储系统可靠性。

全闪存储成本高？

从成本来看，SSD的同容量成本显著高于HDD，因此在对于大容量为主、顺序读写为主的侧重高带宽与延迟不高的应用场景下，混闪的部署成本依然要低于全闪。但如果是对性能有要求的话，相同的高IOPS性能下，全闪存储相比混闪存储，有着更低的发热量和功耗，也能节省存储部署的数量和空间，对机房空间的占用和TCO都会更低，能够节约超过一半的能源成本。选择全闪存储，虽然成本会有所上升，但是从整体使用效果来看，性价比是远大于传统存储的。