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MT41K256M16HA-125手机内存芯片原装主图

MT41K256M16HA-125手机内存芯片原装参数

制造商IC编号MT41K256M16HA-125

厂牌MICRON/美光

IC 类别DDR3LP SDRAM

IC代码256MX16 LPDDR3

脚位/封装FBGA-96

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.35v

温度规格0°C to +85°C

速度1600 MT/s

标准包装数量

标准外箱

潜在应用INDUSTRIAL ELECTRONICS/工業電子OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

MT41K256M16HA-125手机内存芯片原装相关信息

据 DRAMeXchange 调查显示，第三季 DRAM 供应商销售位元出货量（sales bit）大增，连带推升 DRAM 总产值成长 4%，结束连续三季下滑。展望第四季，三大 DRAM 原厂仍预期在服务器及手机需求的带动下，出货量有望维持成长。

三星受惠于中国大陆手机业者提前备货力道强劲，以及服务器需求缓步回温，销售位元出货量成长逾 3 成，带动营收较第二季成长 5%，来到 71.2 亿美元；SK 海力士的销售位元出货量成长约 2 成，营收季增 3.5%，来到 44.1 亿美元。至于美光由于第二季基期较低，第三季位元出货成长近 3 成，营收为 30.7 亿美元，但市占率失守两成大关。集邦咨询认为，美光因缺乏新厂（greenfield）增加投片，可能导致市占持续受到压缩。

尽管第三季出货量走扬，但受到整体产业价格下跌近 2 成的影响，DRAM 供应商的营业利益率呈现衰退。三星的营业利益率由前一季的 41%下滑至 33%，已接近公司中长期低标 30%的门槛，集邦咨询认为三星接下来继续调降价格的意愿将十分有限。而 SK 海力士因第三季转换部分服务器存储器产能至行动式存储器，成本优化（cost reduction）较为明显，加上第二季基期低，第三季营业利益率从 28%小幅下滑至 24%。