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MT47H32M16NF-25EIT:H高温存储芯片主图

MT47H32M16NF-25EIT:H高温存储芯片参数

制造商IC编号MT47H32M16NF-25EIT:H

厂牌MICRON/美光

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装FBGA-84

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度400 MHZ

标准包装数量1368

标准外箱

潜在应用CAR ALARM/ SECURITY /FINGERPRINT/汽車警報/保安系统/指紋驗证OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

MT47H32M16NF-25EIT:H高温存储芯片相关信息

10月8日消息，据工信部网站发布的消息，工信部日前复函政协十三届全国委员会第二次会议第2282号提案表示，将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展，根据产业发展形势，调整完善政策实施细则，更好的支持产业发展。通过行业协会等加大产业链合作力度，深入推进产学研用协同，促进我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业的技术迭代和应用推广。

工信部称，集成电路是高度国际化、市场化的产业，资源整合、国际合作是快速提升产业发展能力的重要途径。工信部与相关部门积极支持国内企业、高校、研究院所与先进发达国家加强交流合作。引进国外先进技术和研发团队，推动包括工业半导体芯片、器件等领域国际来华交流，支持海外高层次产业人才来华发展，提升我国在工业半导体芯片相关领域的研发能力和技术实力。

下一步，工信部和相关部门将继续加快推进开放发展。引导国内企业、研究机构等加强与先进发达国家产学研机构的战略合作，进一步鼓励我国企业引进国外团队，促进我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业研发能力和产业能力的提升。

工信部表示，为解决工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块等部件的关键性技术问题，我部等相关部门积极支持工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键技术攻关。一是2017年我部推出“工业强基IGBT器件一条龙应用计划”，针对新能源汽车、智能电网、轨道交通三大领域，重点支持IGBT设计、芯片制造、模块生产及IDM、上游材料、生产设备制造等环节，促进IGBT及相关产业的发展。二是指导湖南省建立功率半导体制造业创新中心建设，整合产业链上下游资源，协同攻关工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键共性技术。三是指导中国宽禁带半导体及应用产业联盟发布《中国IGBT技术与产业发展路线图》，引导我国IGBT行业技术升级，推动相关产业发展。