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MT41K128M16JT-125 IT:KDDR内存主图

MT41K128M16JT-125 IT:KDDR内存参数

制造商IC编号MT41K128M16JT-125 IT:K

厂牌MICRON/美光

IC 类别DDR3LP SDRAM

IC代码128MX16 LPDDR3

脚位/封装FBGA-96

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.35v

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度1600 MT/s

标准包装数量1368

标准外箱

潜在应用CAR ELEC./ AUTOMOBILE/汽车电子INDUSTRIAL ELECTRONICS/工業電子OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

MT41K128M16JT-125 IT:KDDR内存相关信息

电脑、手机、汽车、数码相机等等各种电子产品，都需要存储芯片。中国作为制造国，对存储芯片有巨大需求，我国对存储芯片的需求占约两成比例，近两年存储芯片价格持续上涨对中国产生了巨大影响，导致本来就利润微薄的行业饱受其苦，要打破这种局面，实现存储芯片的自主可控是的也是的出路。在这种背景下，中国开始积极发展自己的存储芯片产业。

数据来源：IC Insights

当前存储芯片主要为韩美日三国所占有，存储芯片老大无疑是三星，其在NAND flash和DRAM市场均占据优势的市场份额，而按国家来说韩国是存储芯片的龙头，拥有三星和SK海力士两大存储芯片企业。

存储芯片主要有NAND flash、DRAM，在NAND flash市场份额前五名分别为三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士，市场份额分别为38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%；在DRAM市场份额前三名分别为三星、SK海力士、美光，市场份额分别为45%、28%、21%。

长江存储于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。

2017年，长江存储在全资子公司武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。长江存储在武汉、上海、北京等地设有研发中心，通过不懈努力和技术创新，致力于成为的NAND闪存解决方案提供商。