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MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A存储卡厂家直销主图

MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A存储卡厂家直销参数

制造商IC编号MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A

厂牌MICRON/美光

IC 类别FLASH-NAND

IC代码16GX8 NAND MLC

脚位/封装100-ball TBGA, 12 x 18 x 1.2

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格-40 ~+85 C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A存储卡厂家直销相关信息

01全闪存储与混闪存储有啥区别？

存储阵列根据软件栈和硬件设计的区别，分为全闪和混闪两种存储形式，混闪是一种使用SSD作为性能提速层，一般如二级缓存、自动分层技术；HDD作为主要存储介质的使用，通过SSD与HDD的混合使用，达到存储性能提升的目的。而全闪存储是软件栈全面针对SSD介质进行优化，同时使用SSD作为存储介质的存储系统，充分利用SSD介质的低延迟和高IOPS等优势，为客户的生产业务提供有力的支撑和性能保障，除此之外，HDD和SSD的原理差异，也导致全闪阵列的功耗可以更低，工作温度范围更大，也不必过于担心在一些特殊环境下的物理震荡、冲击带来的存储系统安全影响。

02全闪or混闪，应该怎么选？

目前国内的全闪存储应用场景已经从对于响应延迟要求低、高IOPS的交易系统扩展到了一般行业业务，越来越多如政府、医疗、教育、能源等客户会选择适合自己业务的全闪存储，如传统行业金融系统中的联机交易、网银、ODS，以及运营商的Billing系统和CRM系统，这些系统通常要求存储系统的性能可达到5000-6000 IOPS/TB，传统存储通过机械硬盘难以支撑，而近些年来，一般的传统应用等非交易系统也逐渐使用全闪阵列，如高校、医疗、交通、政府等各个行业都有扩展。总而言之，对于IOPS/TB要求高同时响应延迟较低的业务建议使用全闪存储，但由于受到预算或者容量要求较大的业务，也可以使用混闪来替代全闪。

有些客户会经常问到一个问题，如果我买的存储系统里全部使用SSD介质，是否就是全闪存储了？答案是否定的，通常市场上所说的真正的全闪存储不仅存储介质使用SSD或者SCM卡等闪存介质，更多的是在软件栈上针对全闪介质和整个存储系统进行了算法的优化设计，从而更大幅度提升闪存介质带来的性能提升，以及延长闪存介质的使用寿命。