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MT29F16G08ABACAWP:C储存芯片报价主图

MT29F16G08ABACAWP:C储存芯片报价参数

制造商IC编号MT29F16G08ABACAWP:C

厂牌MICRON/美光

IC 类别FLASH-NAND

IC代码2GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP-48

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0 ~ 70 C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

MT29F16G08ABACAWP:C储存芯片报价相关信息

在先进的制程工艺问世之初，耗费则颇为不菲——在2014年刚出现14nm制程时，其掩膜成本为3亿美元（随着时间的推移和台积电、三星掌握14/16nm制程，现在的价格应该不会这么贵）；而Intel正在研发的10nm制程。根据Intel估算，掩膜成本至少需要10亿美元。不过如果芯片以亿为单位量产的话（貌似苹果每年手机+平板的出货量上亿），即便掩膜成本高达10亿美元，分摊到每一片芯片上，其成本也就10美元。而这从另一方面折射出为何像苹果这样的巨头采用台积电、三星，也是贵的制程工艺，依旧能赚大钱，这就是为什么IC设计具有赢者通吃的特性。

像代工厂要进行的光刻、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、封装、等级测试等步骤需要的成本，以及光刻机、刻蚀机、减薄机、划片机、装片机、引线键合机、倒装机等制造设备折旧成本都被算进测试成本、封装成本、掩膜成本中，就没有必要另行计算了。

（晶圆）

晶片的成本

由于在将晶圆加工、切割成晶片的时候，并不是能保证100%利用率的，因而存在一个成品率的问题，所以晶片的成本用公式表示就是：

晶片的成本=晶圆的成本/（每片晶圆的晶片数*晶片成品率）

由于晶圆是圆形的，而晶片是矩形的，必然导致一些边角料会被浪费掉，所以每个晶圆能够切割出的晶片数就不能简单的用晶圆的面积除以晶片的面积，而是要采用以下公式：

每个晶圆的晶片数=（晶圆的面积/晶片的面积）-（晶圆的周长/（2*晶片面积）的开方数）

晶片的成品率和工艺复杂度、单位面积的缺陷数息息相关，晶片的成品率用公司表达为：

晶片的成品率=（1+B*晶片成本/A）的(-A次方)

A是工艺复杂度，比如某采用40nm低功耗工艺的自主CPU-X的复杂度为2～3之间；

B是单位面积的缺陷数，采用40nm制程的自主CPU-X的单位面积的缺陷数值为0.4～0.6之间。