深圳振华航空半导体有限公司

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MT29F256G08CJAAAWP-IT:A存储芯片现货供应
MT29F256G08CJAAAWP-IT:A存储芯片现货供应
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MT29F256G08CJAAAWP-IT:A存储芯片现货供应

型号/规格:

MT29F256G08CJAAAWP-IT:A

品牌/商标:

MICRON

封装:

FBGA60

批号:

17+

速度:

800mhz

产品信息

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MT29F256G08CJAAAWP-IT:A存储芯片现货供应参数

制造商IC编号MT29F256G08CJAAAWP-IT:A

厂牌MICRON/美光

IC 类别FLASH-NAND

IC代码32GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP-48

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)3.3 V

温度规格0 ~ 70 C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

MT29F256G08CJAAAWP-IT:A存储芯片现货供应相关信息

在经历过去两年存储芯片产业的繁荣之后,预计经济面临的不确定因素将增加,市场对芯片需求的增长幅度也有所趋缓,SK海力士表示将专注于加强芯片制造的基本竞争力,提高芯片生产良率以降低产品成本。

之前,三星预警芯片业务将面临艰难的一年,美光在财报中也表示,决定减少晶圆投片量以及减少资本支出,平衡市场供需。在第71届股东大会上,SK海力士CEO Lee Seok-hee认为,在市场环境恶化的情况下,竞争力来自技术实力,公司将通过提高纳米技术的良率和削减成本来加强基础的优势。

在DRAM技术上,SK海力士1ynm DRAM将在2019年开始供货,还成功开发出1ynm 16Gb DDR5 DRAM,支持5200Mbps的数据传输速率,比上一代的3200Mbps快约60%,每秒可处理41.6GB数据或11个全高清视频文件(每个3.7GB),将于2020年大规模量产。

另外,SK海力士在2018年底提倡的工程师即使在法定退休年龄60岁之后仍能继续工作,鼓励高技能工程师充分利用他们的知识和能力,确保公司竞争力。

SK海力士提高DRAM技术能力,也是感受到来自竞争对手的压力。三星已宣布在平泽厂规模量产12GB LPDDR4X,2019下半年将增加3倍的供应量,还率先进入1znm技术,下半年量产8Gb DDR4,生产率可提高20%以上。美光也将在2019下半年持续增加1ynm产量,同时送样下一代1znm新技术产品。

对于后续产业发展,SK海力士CEO Lee Seok-hee表示,尽管芯片产业后续发展引发市场担忧和关注,作为第二大DRAM提供商仍在京畿道龙仁市砸下120兆韩元的赌注。虽然经济动荡,芯片相关产业相对低迷,是目前的现状,但SK海力士认为供需将在2019下半年得到平衡,并看好后续未来10年的发展。

之前,SK海力士公布了未来10年的投资计划,曾表示要在韩国龙仁市投资120兆韩元参与建设半导体工业区的项目,自2022年开始着手建设4个半导体工厂(FAB),除了利川,以后龙仁市将成SK海力士生产DRAM和相关半导体的重要基地,而清州是NAND Flash的生产基地。