深圳振华航空半导体有限公司

MT29F64G08AJABAWP:B记忆存储芯片厂家主图

MT29F64G08AJABAWP:B记忆存储芯片厂家相关信息

制造商IC编号MT29F64G08AJABAWP:B

厂牌MICRON/美光

IC 类别FLASH-NAND

IC代码8GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP-48

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)3.3 V

温度规格0 ~ 70 C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

MT29F64G08AJABAWP:B记忆存储芯片厂家参数

SCM存储级内存

预计存储类内存（SCM）的广泛采用已经有好几年了，而2020年可能是它终实现的一年。尽管英特尔Optane，东芝XL-Flash和三星Z-SSD内存模块已经上市了一段时间，但到目前为止，它们的影响还没有完全破灭。

企业存储软件开发商Weka.io的 CTO Andy Watson说：“现在的区别是，英特尔已经使他们的Optane DCPMM性内存模块版本能够正常工作。” “这是改变游戏规则的人。”

英特尔设备融合了快速但易失的DRAM和较慢但持久的NAND存储的特性。这种两步骤组合旨在提高用户处理大型数据集的能力，同时提供DRAM的速度以及NAND的容量和持久性。

SCM不仅比基于NAND的闪存要快，而且速度要快1000倍。沃森说：“微秒延迟，而不是毫秒。” 他补充说：“将需要一些时间来解决我们的应用程序和基础架构意味着什么，”这是我们的集体负责人。Watson预测，SCM初的大发展将是扩展内存，并指出第三方软件已经允许内存中的应用程序使用Optane来实现高达768TB的占用空间。

计划采用SCM的数据中心将仅限于部署在使用一代Intel CPU（Cascade Lake）的服务器上，这有可能使该技术的直接影响降低。沃森说：“但是投资回报率可能变得不可抗拒，以至于可能引发数据中心升级浪潮，以迎接与这一重大海洋变化相关的不断发展的机会。”