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LM2594MX-5.0放大器价格实惠大量供应主图

LM2594MX-5.0放大器价格实惠大量供应参数

制造商IC编号LM2594MX-5.0

厂牌TEXAS/TI/德仪

IC 类别VOLTAGE REGULATOR

IC代码LM2594

脚位/封装TAPE

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)

温度规格

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

LM2594MX-5.0放大器价格实惠大量供应相关信息

三星宣布成功开发业界首款10nm级8Gb LPDDR5 DRAM。自从2014年8Gb LPDRD4投入量产以来，三星就开始向LPDDR5标准过渡。LPDDR5 DRAM芯片主要应用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等，5G和AI将是其主要应用领域。

8Gb LPDDR5已加入三星DRAM高端产品阵容，该产品阵容包括10nm级16Gb GDDR6 DRAM（2017年12月量产）和16Gb DDR5 DRAM（2月开发）。

三星存储产品规划及应用工程副总裁Jinman Han表示：“8Gb LPDDR5的问世代表了低功耗移动存储解决方案的一大进步，三星将继续扩大下一代10nm级DRAM阵容，在范围内加速推动优质存储产品的应用。”

8Gb LPDDR5数据传输速率高达6400 Mb/s，是目前旗舰级移动设备所使用的移动DRAM芯片（LPDDR4X，4266Mb/s）速度的1.5倍。新的LPDDR5每秒可以传送51.2GB的数据，相当于大约14个全高清视频文件（3.7GB/个）。

10nm级LPDDR5 DRAM在1.1V工作电压下数据传输速率为6400Mbps，1.05V工作电压下数据传输速率为5500Mbps，供智能手机、汽车车载平台自行选择。为了限度地节省电能，在活动模式下10nm级LPDDR5可根据处理器的运行速度动态调节电压。此外，新的LPDDR5芯片还可提供“深度休眠模式”，可将功耗降低为当前LPDDR4X DRAM“空闲模式”的大约一半。得益于这些低功耗特性，8Gb LPDDR5 DRAM功耗比LPDDR4X降低高达30%，限度地提高移动设备性能和延长智能手机的电池寿命。

三星已与芯片供应商共同完成了8GB LPDDR5 DRAM功能测试和验证，该产品由八颗8Gb LPDDR5芯片封装组成。三星将在韩国平泽工厂量产LPDDR5以及DDR5和GDDR6 DRAM芯片。