- 非IC关键词
深圳振华航空半导体有限公司
- 卖家积分:
营业执照:已审核经营模式:贸易/代理/分销所在地区:广东 深圳企业网站:
www.zhjgic.com
收藏本公司 人气:1219202
企业认证
- 现货认证
企业档案
- 相关证件:
 
- 会员类型:
- 会员年限:6年
- 阿库IM:
- 地址:深圳市龙岗区坂田街道科尔达大厦十三层
- 传真:0755-82522910
- E-mail:zhjgic@126.com
相关产品
产品信息
NT5TU32M16CG-25ddr芯片价格实惠主图
NT5TU32M16CG-25ddr芯片价格实惠参数
制造商IC编号NT5TU32M16CG-25
厂牌NANYA/南亞
IC 类别DDR2 SDRAM
IC代码32MX16 DDR2
脚位/封装
外包装
无铅/环保含铅
电压(伏)
温度规格
速度
标准包装数量
标准外箱
潜在应用C TESTING & PACKAGING/IC测试和封装
OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC
UNKNOWN/未定义
NT5TU32M16CG-25ddr芯片价格实惠相关信息
随着近来人工智能(AI),机器学习,高性能计算,图形和网络应用的快速增长和广泛扩展,对存储器的需求比以往任何时候增长得都快。然而,传统的主存储器DRAM已不足以满足此类系统要求。另一方面,数据中心中的服务器应用程序对存储器提供更高容量的需求。传统上,通过增加每个插槽的存储通道数量并采用更高密度的DRAM双列直插式内存模块(DIMM)来扩展内存子系统的容量。但是,即使使用的16Gb DDR4 DRAM,系统内存容量需求对于某些应用程序(例如内存数据库)也可能变得不足。
存储器中的直通硅(TSV)已经成为一种用于容量扩展和带宽扩展的有效基础技术。这是一种在整个硅晶圆厚度上打孔的技术,目的是在芯片的正面到背面形成数千个垂直互连,反之亦然。在早期,TSV仅被视为一种封装技术,只是替代了引线键合。但是,多年来,它已成为扩展DRAM性能和密度必不可少的工具。如今,DRAM行业有两个主要用例,已经成功生产了TSV,以克服容量和带宽扩展限制。它们是3D-TSV DRAM和高带宽存储器(HBM)。
除具有线焊管芯堆叠的传统双芯片封装(DDP)外,诸如128和256GB DIMM(具有2High和4High X4 DRAM的基于16Gb的2rank DIMM)之类的高密度存储器也正在采用3D-TSV DRAM。在3D-TSV DRAM中,2或4个DRAM裸片彼此堆叠,其中只有部的裸片从外部连接到存储控制器。其余管芯通过内部提供输入/输出(I / O)负载隔离的许多TSV互连。与DDP结构相比,这种结构通过I / O负载的去耦实现了更高的引脚速度,并通过消除了堆叠芯片上不必要的电路组件重复而降低了功耗。