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W971GG6KB-25华邦存储芯片报价主图

W971GG6KB-25华邦存储芯片报价参数

制造商IC编号W971GG6KB-25

厂牌WINBOND/華邦

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码64MX16 DDR2

脚位/封装

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)

温度规格

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用C TESTING & PACKAGING/IC测试和封装

OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

UNKNOWN/未定义

W971GG6KB-25华邦存储芯片报价相关信息

但存储空间不能光看够不够大，还要看数据读取的速度够不够快。因为包括图片载入、游戏加载、应用安装、以及拍摄4K视频等操作的速度，都由闪存标准决定。比如2015年之前的智能手机，主要的闪存标准叫做eMMC，这种技术采用并行数据传输技术，每个通道允许读写传输，但是同一时间只能读或者写。而eMMC从初的4.3标准发展到后来的5.1标准，传输速度从50MB/s发展到600MB/s，提升幅度超过10倍。

但由于其底层技术上限制，依然无法满足智能手机数据的高速传输，因此逐渐被UFS闪存取代，而目前也基本上只存在于中低端智能手机。而取代eMMC的UFS，全称叫做Universal Flash Storage，即“通用闪存存储”，它采用串行数据传输技术，只有两个数据通道，但速率超越eMMC，工作模式为全双工模式，同一条通道允许读写传输，而且读写能够同时进行，传输效率提高。简单来说，UFS可以看成是eMMC的升级换代技术，并且从初的1.0、2.0、2.1发展到现在的3.0。那么UFS闪存速度究竟有多快呢？根据三星提供的数据来看，UFS 3.0闪存的顺序读取速度达到了2279.8MB/s，顺序写入速度达到了1801.1MB/s，基本上是UFS 2.1闪存的2到3倍，而上一代的USF 2.1闪存读写速度为700到800MB/s。