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W9751G6KB-25I华邦闪存芯片原装进口主图

W9751G6KB-25I华邦闪存芯片原装进口参数

制造商IC编号W9751G6KB-25I

厂牌WINBOND/華邦

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)

温度规格

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用C TESTING & PACKAGING/IC测试和封装

OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

UNKNOWN/未定义

W9751G6KB-25I华邦闪存芯片原装进口相关信息

根据长鑫存储去年透露DRAM项目规划就显示，长鑫存储计划在2018年底量产8Gb DDR4工程样品；2019年3季度量产8Gb LPDDR4；2019年底实现产能2万片/月；2020年开始规划二厂建设；2021年完成17纳米技术研发。

从目前来看，长鑫存储基本是按照既定的计划在走。

紫光集团：2021年量产DRAM

早在今年6月30日晚间，紫光集团发布公告称，决定组建紫光集团DRAM事业群，全力加速发展国产内存。随后，在今年8月底，紫光集团又跟重庆市政府签署投资协议，宣布在重庆建设DRAM事业群总部及内存芯片工厂，预计今年底动工，2021年正式量产内存。

据知情人透露，紫光集团早在2015年即开始布局DRAM，延揽高启全加入紫光集团就是布局的开始，在高启全加入紫光集团的同时，紫光国微（原名同方国芯）收购了任奇伟团队所创办的公司（现在的西安紫光国芯），任奇伟团队的前身是奇梦达公司的西安研发中心，任奇伟团队一直从事DRAM的研发工作，目前团队人数约500人。

从紫光国微的年报披露情况看，该团队的DRAM产品销售收入每年约在5~6亿人民币之间，其产品自行设计，在境外代工。

2015年，紫光集团还试图通过收购美光进入DRAM和3D NAND领域，但收购美光受到美国政府的阻击，未能如愿以偿。

不过，目前的存储芯片三巨头，三星、海力士、美光，都是既做DRAM又做3D NAND。

据知情人透露，紫光集团在收购美光遇阻后，原计划通过自行研发先进入DRAM领域，然后再进入3D NAND，但在国家集成电路产业基金的协调下，紫光和湖北省、武汉市合作，与国家集成电路产业基金一起，在武汉新芯的基础上，组建了长江存储，制定了先三维闪存，后DRAM的战略，同时布局DRAM的研发，积蓄DRAM的工艺人才。