深圳振华航空半导体有限公司

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K4T1G084QF-BCE7闪存存储阵列
K4T1G084QF-BCE7闪存存储阵列
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K4T1G084QF-BCE7闪存存储阵列

型号/规格:

K4T1G084QF-BCE7

品牌/商标:

SAMSUNG

封装:

FBGA84

批号:

17+

产品信息

制造商IC编号EPM3128ATC100-10N

厂牌ALTERA/INTEL

IC 类别CPLD

IC代码EPM3128

脚位/封装TQFP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)温度规格0°C to +85°C

速度标准

包装数量90

标准外箱

潜在应用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC


要知道P0口是一个缺少上拉电阻的端口,只能控制内场效应管的开通和关断。也就说它本身不能输出高电平,只能输出低电平的。但加一个5V电压和上拉电阻就可以输出高低电平了。在选排阻时就用5V除去阻值就可以得到电流啦,但是要减去场效应管的压降。例如用P0口输出给一个电阻为200欧的小灯,灯需要10MA的电流才能驱动,上拉电阻R是多少呢?用5V电压减去场效应管压降0.5V(假设),再用4.5V除10MA得到总电阻450欧。450欧减去灯的电阻200欧得250欧。则排阻用250欧的为宜。