深圳振华航空半导体有限公司

K4T51163QG-HCF7闪存存储阵列的产品描述

K4T51163QG-HCF7

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C to +85°C

速度133 MHZ

标准包装

数量标准

外箱潜在应用

K4T51163QG-HCF7闪存存储阵列图片

K4T51163QG-HCF7闪存存储阵列的相关信息

滑动变阻器原理与主要作用

工作原理主要就是通过改变接入电路中的电阻线的长度，从而改变接入电路中的阻值，这样就可以逐渐的来改变电路中流通的电流的大小。改变接入电路的阻值是通过滑动滑动变阻器上面的滑片来实现的。滑动变阻器的电阻丝般都是镍铬合金，该合金具有熔点高、电阻大的特点，它的金属杆是阻值比较小的一根金属，这样的话就是电阻丝越长的话，电阻就会越大，电阻丝越短的话，电阻就会越小，当然这里的电阻丝指的是接入电路中的电阻丝的长度。

2、改变电路中的电流。滑动变阻器的阻值是慰变化的，在电路接通后通过改变滑片的诶之就可以实现地电路中对电流的调节。在连接滑动变阻器的时候要遵循以上一下，重点在下的原则，金属杆和电阻丝都要分别的连接接线柱。

3、改变电压。在研究欧姆定律的实验中，滑动变阻器所起到的作用是改变和他串联的用电器两端的电压的作用。