深圳振华航空半导体有限公司

K4T51163QJ-BCF8存储卡芯片主图

K4T51163QJ-BCF8存储卡芯片参数

制造商IC编号K4T51163QJ-BCF8

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C to +85°C

速度DDR3-1066 (533MHz @ CL=7, tRCD=7,tRP=7)

标准包装

数量标准

外箱潜在应用LED APPLICATION/LED應用

K4T51163QJ-BCF8存储卡芯片相关信息

为了使用方便，标准电阻器的稳定度也常常用级别来表示。例如0.01级的标准电阻器，表示其年变化在规定的参考条件下小于0.01％。中国的标准电阻器（见彩图中国制造的标准电阻器）从0.0005～0.2级，共分为9个级别。

构造和原理标准电阻器一般用温度系数低、稳定度高的锰铜合金丝（片）绕在黄铜或其他材料的骨架上，再套上铜制外壳制成。外壳与骨架通常焊在一起，把电阻丝密封起来，以减少大气中的湿度等因素的影响。电阻器绕成后需退火处理，以消除绕制过程中产生的应力，改善其稳定性。电阻器的引线经密封的陶瓷绝缘子引出，与装在面板上的端钮相接。标准电阻器通常做成四端钮式（见下页图四端标准电阻器）。A、B为电流端，C、D为电位端。测量和使用时从A、B两端通进电流，取出C、D两点的电压进行测量。此时需使电位端不流过电流，这样C、D两端钮的电位就分别等于□、□两点的电位，而标准电阻器的电阻值就被定义为□、□两个结点之间的电阻值。这样，A□，C□，B□，D□四条引线的电阻的影响均被消除。用电阻合金丝绕制的标准电阻器的自感及分布电容在使用时会引起一些不良效果。为了减少自感，可采用双线绕法。但对100千欧的高值电阻器，所用的电阻丝很长，采用双线绕法会导致较大的分布电容，因而多采用分段绕法，使自感和分布电容均较小。