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K4T51163QJ-BIE6mp3闪存芯片主图

K4T51163QJ-BIE6mp3闪存芯片参数

制造商IC编号K4T51163QJ-BIE6

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C to +85°C

速度DDR2-667-333 MHZ

标准包装

数量标准

外箱潜在应用

K4T51163QJ-BIE6mp3闪存芯片相关信息

1.标准电阻应在规定的技术条件下使用和保管，相对湿度不高于80%，周围环境要保持清洁，无腐蚀性气体，避免光线直接照射。因为在光线的照射下，标准电阻上盖的绝缘性会变坏，并将导致总电阻的变化。

2.移动标准电阻时宜轻拿轻放，避免碰撞和剧烈震动，否则会导致电阻线圈变形，引起电阻值的变化。

3.标准电阻中流过电流太大会发热，使电阻值产生变化，这种现象称为电阻的自热效应或负载效应。为避免这种现象，每个标准电阻都规定了标称使用功率，使用时不要超过此值，否则自热引起的变差会超过等级指数值。标准电阻的额定功率一般为0.1W，个别的可达到1W，在标准电阻的标牌上不直接给出额定功率值。它直接给出额定工作电流、zui大工作电流和电阻的名义值。通常可以间接计算出额定功率值。使用时要特别注意：倘若在使用中超过标准电阻额定功率，轻者会使标准电阻不稳定，重者则烧坏标准电阻，zui好在小于其额定功率值的范围内使用。长期在zui大允许功率下使用，将导致电阻的偏差增大，难以恢复到原来的状态。

4.对于0.01级的标准电阻，zui好是在充有中性变压器油（选用25#变压器油）的恒温油槽内使用。