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K4T51163QI-HCF7存储器芯片报价主图

K4T51163QI-HCF7存储器芯片报价参数

制造商IC编号K4T51163QI-HCF7

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C to +85°C

速度133 MHZ

标准包装数量1280

标准外箱

潜在应用BATTERY/電池製造商LED APPLICATION/LED應用SATELLITE SYSTEM / SET-TOP-BOX/卫星系统/机頂盒

K4T51163QI-HCF7存储器芯片报价相关信息

1、电阻交流信号电压供给电路从音频电路输出的交流信号（音频信号），分别通过电阻R1和R2加到左右声道，这样可以将交流信号均衡的分成两个信号，分别加到左声道电路和右声道电路，这样它们的放大的是同样的信号，R1和R2阻值是一样的。

2、电阻对三极管的分流应用电阻的分流可以减轻另一个元器件的负担，这里R1的分流很好的保护了三极管有利于增加元器件的使用寿命。在下面的电路中R1是分流电阻，它并联在Q1的集电极和发射极这样它们之间，构成并联电路，电路中的电流一部分经过R1流过，这样流过Q1的电流就相对的减小，而总电流并没有变化。

3、阻尼电阻电路电路中的L1和C1构成LC并联谐振电路，电阻RL2并联在电路中起到阻尼的作用，L1和C1构成的并联谐振电路中，谐振信号能量的损耗很小，谐振电路的品质因数Q值越大。由于电阻是耗能元件，对震荡信号存在损耗的作用，所以加入阻尼电阻RL2后Q值会减小，RL2阻值越小对谐振信号的损耗越大

4、电路中取样电阻的应用取样电阻也是功率放大器中过流保护中常用的取样电阻。当三极管Q2发射机电路流过R2时就会产生压降，流过R2的电流越大，在R2上的压降也越大，R2上的电压越大就代表流过R2的电流越大，这样电路中的过流保护电路就会动作，防止电流过大损坏电路中的元件。

5、下拉电阻这是电路中的反相器，输入信号通过下拉电阻R1接地，这样在没有高电平输入时，可以使输入端稳定的处于低电平状态，防止可能出现高电平干扰使得反相器误动作，如果没有下拉电阻R1反相器悬空，为高阻抗，外界的高电平很容易干扰从输入端加到反相器中，从而引起误动作。