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K4X1G323PF-8GD8存储芯片经销商主图

K4X1G323PF-8GD8存储芯片经销商参数

制造商IC编号K4X1G323PF-8GD8

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR1LP SDRAM-MOBILE

IC代码32MX32 LPDDR1

脚位/封装FBGA

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格

速度标准

包装数量标准

外箱潜在应用LED APPLICATION/LED應用

K4X1G323PF-8GD8存储芯片经销商相关信息

压敏电阻（MOV）是以氧化锌（ZnO） 为主要成分的非线性电阻元件，该元件浪涌电流耐量及非线性系数非常大，在阀值电压以下时，电阻非常高，几乎没有电流流过，如果超过该阀值电压，电阻急剧降低，可以泄放大电流，由于这种特性，作为电子、电气设备的保护元件，对异常电压的吸收，雷击浪涌的吸收等发挥着很大的作用。

压敏电阻一般并联在电路中使用，当电阻两端的电压发生急剧变化时，电阻短路将电流保险丝熔断，起到保护作用。压敏电阻在电路中，常用于电源过压保护和稳压。

1.压敏电压UN（U1mA）：通常以在压敏电阻上通过1mA直流电流时的电压来表示其是否导通的标志电压，这个电压就称为压敏电压UN。压敏电压也常用符号U1mA表示。压敏电压的误差范围一般是±10%。在试验和实际使用中，通常把压敏电压从正常值下降10%作为压敏电阻失效的判据

2.持续工作电压UC：指压敏电阻能长期承受的交流电压（有效值）Uac或直流电压Udc。一般Uac≈0.64U1mA，Udc≈0.83U1mA

3.箝位电压（限制电压）VC：箝位电压值是指给压敏电阻施加规定的8/20μs波冲击电流IX（A）时压敏电阻上呈现的电压。

4.漏电流Il：给压敏电阻施加直流电压Udc时流过的电流。测量漏电流时，通常给压敏电阻加上Udc=0.83U1mA的电压（有时也用0.75U1mA）。一般要求静态漏电流Il≤20μA（也有要求≤10μA的）。在实际使用中，更关心的不是静态漏电流值本身的大小，而是它的稳定性，即在冲击试验后或在高温条件下的变化率。在冲击试验后或在高温条件下其变化率不超过一倍，即认为是稳定的

作为一种应用范围十分广泛的压敏电阻器，过压保护压敏电阻也经常被用于保护可控硅整流器之中，那么根据通流容量的不同，我们应该怎样选取合适的过压保护压敏电阻器呢？一般情况 下，3kA的压敏电阻型号通常会被用在电器设备的浪涌吸收上，而5kA的电阻型号则多被用在对雷击及电子设备的过电压吸收上，10kA的则会被用在对雷击的保护上。这里我们以雷击保护为例来进行说明。