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深圳振华航空半导体有限公司
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相关产品
产品信息
K4T1G164QF-BCF8存储卡芯片主图
K4T1G164QF-BCF8存储卡芯片参数
制造商IC编号K4T1G164QF-BCF8
厂牌SAMSUNG/三星
ic 类别DDR2 SDRAM
IC代码64MX16 DDR2
脚位/封装fbga
外包装
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)1.8 V
温度规格0°C + 85°C
速度1.875 NS@CL7
标准包装数量
标准外箱
潜在应用
单词量64m
一些组织乘16
密度1g
内部银行8银行
第七代
电源正常电源
K4T1G164QF-BCF8存储卡芯片相关信息
SJ1152-82部颁标准中压敏电阻器的型号命名分为四部分。
部分用字母 “M” 表示主称为敏感电阻器。
第二部分用字母 “Y” 表示敏感电阻器为压敏电阻器。
第三部分用字母表示压敏电阻器的用途的特征。
第四部分用数字表示序号,有的在序号的后面还标有标称电压、通流容量或电阻体直径、电压误差、标称电压等。
主要参数:
1、残压:压敏电阻在通过规定波形的大电流时其两端出现的峰值电压。
2、通流容量:按规定时间间隔与次数在压敏电阻上施加规定波形电流后,压敏电阻参考电压的变化率仍在规定范围内所能通过的电流幅值。
3、泄漏电流:在参考电压的作用下,压敏电阻中流过的电流。
4、额定工作电压:允许长期连续施加在压敏电阻两端的工频电压的有效值。而压敏电阻在吸收暂态过电压能量后自身温度升高,在此电压下能正常冷却,不会发热损坏。