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K4T51163QQ-BCE7内存ddr4报价主图

K4T51163QQ-BCE7内存ddr4报价参数

制造商IC编号K4T51163QQ-BCE7

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C to +85°C

速度800 MHZ

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K4T51163QQ-BCE7内存ddr4报价相关信息

提及薄膜精密晶片电阻，薄膜晶片电阻器（RTR）是用类蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成，一般这类电阻常用的绝缘材料是陶瓷基板。

薄膜电阻器是高精度电阻器的一种，它采用类蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成，一般这类电阻常用的绝缘材料是陶瓷基板。我们常说的高精度低温漂贴片电阻一般就指的是薄膜贴片电阻器，包括常见的千分之一电阻和万分之一电阻。

厚膜贴片电阻，又称：片式固定电阻器，采用厚膜工艺印刷而成，这种电阻有多种形状，包括带型、曲线形、长方形等。主要在功率电阻和精密电阻的制造中应用较多。这种电阻耐潮湿、高温、温度系数小、体积小，重量轻。

常规厚膜片式电阻生产流程：原材料准备基片浆料丝网→正背面导体印刷→导体烧结烘干→电阻印刷→电阻体烧结→玻璃层印刷→玻璃层烧结→镭射切割→保护层印刷→保护层硬化→字码印刷→分条→端银/溅镀→端头硬化→折粒/电镀→测试→编带包装。

薄膜电阻和厚膜电阻是使用较多的一种类型电阻，薄膜电阻是现在主流的贴片精密电阻器，但是如何区分这两种电阻呢？

1、根据膜厚厚膜电阻的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm;

2、根据制造工艺厚膜电阻一般采用丝网印刷工艺，薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。

3、根据精度薄膜精密晶片电阻，厚膜电阻一般精密程度不高，多数是1%、5%、10%等，而薄膜电阻则可以做到0.01%精度，0.1%精度等；

4、根据温度系数厚膜电阻的温度系数上很难控制，一般较大，但是薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数，如5PPM/℃，10PPM/℃这样电阻阻值随温度变化非常小，阻值稳定可靠，因此价格相对厚膜电阻来说会比较贵一些。

因此：当温度系数和精度要求高时，就使用薄膜工艺的电阻，如果是一般要求使用厚膜工艺的电阻即可。