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K4B1G1646G-BCKO闪存存储阵列主图

K4B1G1646G-BCKO闪存存储阵列参数

制造商IC编号K4B1G1646G-BCKO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码64MX16 DDR3

脚位/封装FBGA-96

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K4B1G1646G-BCKO闪存存储阵列相关信息

绝缘电阻表，又称兆欧表、摇表、梅格表，绝缘电阻表主要是由三部分组成；

是直流高压发生器，用以产生直流高压；第二是测量回路；第三是显示。用来测量电阻值、绝缘电阻、吸收比以及极化指数的专用仪表，它的标度单位是兆欧，它本身带有高压电源。电器产品的绝缘性能是评价其绝缘好坏的重要标志之一，它通过绝缘电阻反映出来。

测定产品的绝缘电阻，是指带电部分与外露非带电金 属部分（外壳）之间的绝缘电阻，按不同的产品，施加一直流高压，如100V、250V、500V、1000V等，规定一个的绝缘电阻值。有的标准规定 每kV电压，绝缘电阻不小于1MΩ等。在家用电器产品标准中，通常只规定热态绝缘电阻，而不规定常态条件下的绝缘电阻值，常态条件下的绝缘电阻值由企 业标准中自行制定。如果常态绝缘电阻值低，说明绝缘结构中可能存在某种隐患或受损。如电机绕组对外壳的绝缘电阻低，可能是在嵌线时绕组的均线槽绝缘受到损 伤所致。在使用电器时，由于突然上电或切断电源或其它缘故，电路产生过电压，在绝缘受损处产生击穿，造成对人身的安全或威胁。

测量绝缘电阻必须在测量端施加一高压，此高压值在绝缘电阻表国标中规定为50V、100V、250V、500V、1000V、2500V、5000V…直流高压的产生一般有三种方法。种手摇发电机式。 我国生产的兆欧表约80%是采用这种方法（摇表名称来源）。第二种是通过市电变压器升压，整流得到直流高压。一般市电式兆欧表采用的方法。第三种是利 用晶体管振荡式或专用脉宽调制电路来产生直流高压，一般电池式和市电式的绝缘电阻表采用的方法。