深圳振华航空半导体有限公司

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品牌:Micron 分类:存储器 型号:MT41J128M16JT-107:K IC类别:DDR3SDRAM IC代码:128MX16DDR3 包装:托盘

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品牌:Micron 封装:FBGA 电压(伏):1.5 V 速度:800MHz 字数:128m 密度:2g

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品牌:镁光 封装:FBGA 外包装:TRAY 电压(伏):1.5 V 速度:800MHz 字数:128m

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品牌:Micron 位组织:x16 封装:FBGA 外包装:TRAY 速度:800MHz 温度规格:0° ~ 70°C

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品牌:MICRON IC类别:DDR3SDRAM 速度:800MHz 电压(伏):1.5V 外包装:TRAY 字数:128m

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品牌:MICRON 类别:集成电路(IC) 格式-内存:RAM 内存大小:1g(128mx8) 标准包装:1000 速度:667兆赫

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品牌:镁光 类别:集成电路(IC) 包装:托盘 包装/箱:78-TFBGA 电源电压:1.425V~1.575V 格式-内存:RAM

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品牌:镁光 格式-内存:RAM 内存类型:DDR3SDRAM 速度:667兆赫 电源电压:1.425V~1.575V 类别:集成电路(IC)

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品牌:镁光 包装:托盘 类别:集成电路(IC) 标准包装:1000 工作温度:-40°C~95°C 内存类型:DDR3SDRAM

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品牌:镁光 格式-内存:RAM 内存大小:1g(128mx8) 接口:并行 电源电压:1.425V~1.575V 工作温度:-40°C~95°C

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品牌:MICRON 型号:MT41J128M8JP-15E IT:G 类别:集成电路(IC) 格式-内存:RAM 内存大小:1g(128mx8) 接口:并行

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品牌:镁光 型号:MT41J128M8JP-15E IT:G 标准包装:1000 类别:集成电路 包装:托盘 内存类型:DDR3SDRAM

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品牌:MICRON 型号:MT41J128M8JP-15EIT:G 内存大小:1g(128mx8) 分类:集成电路,存储器 内存类型:DDR3SDRAM 包装:托盘

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品牌:Micron 封装/箱体:FBGA-96 系列:MT41K 封装:Tray 安装风格:SMD/SMT 子类别:Memory&DataStora 产品类型:DRAM

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产品种类:动态随机存取存储器 封装/箱体:FBGA-96 系列:MT41K 封装:Tray 安装风格:SMD/SMT 产品类型:DRAM

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制造商:Micron 产品种类:动态随机存取存储器 系列:MT41K 封装:Tray 安装风格:SMD/SMT

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品牌:镁光 种类:动态随机存取存储器 封装/箱体:FBGA96 封装:Tray 系列:MT41K 产品类型:DRAM

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制造商:MICRON 种类:动态随机存取存储器 系列:MT41K 封装:Tray 安装:SMD/SMT 子类别:Memory&DataStora

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制造商:MICRON 型号:MT41K128M16JT-125IT:K 种类:动态随机存取存储器 系列:MT41K 封装/箱体:FBGA-96 安装风格:SMD/SMT

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品牌:镁光 类别:集成电路(IC) 包装:磁带和卷轴(TR) 内存大小:4g (256) 速度:933mhz 工作温度:0°~ 95°C

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品牌:MICRON 类别:存储器 周期刷新:64ms,8192 焊锡球材料:铜或铅共晶 温度:小于-40°C 系列:—

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品牌:镁光 VDDv:1.8±0.1v 类别:存储器 周期刷新:64ms,8192 系列:— 封装:—

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型号:MT47H128M16RT-25E:C 品牌:MICRON/美光 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX16 DDR2 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8V 位组织:x16 密度:2G