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ram芯片MT41J128M16JT-125K，全新原装

品牌:Micron 位组织:x16 封装:FBGA 外包装:TRAY 速度:800MHz 温度规格:0° ~ 70°C

MT41J128M16JT-125K手机闪存芯片，热卖全新原装

品牌:镁光 封装:FBGA 电压(伏):1.5 V 字数:128m 外包装:TRAY 时钟频率:800兆赫

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品牌:镁光 IC类别:DDR3 SDRAM 封装:FBGA 电压(伏):1.5 V 字数:128m 密度:2g

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品牌:MICRON IC类别:DDR3SDRAM 速度:800MHz 电压(伏):1.5V 外包装:TRAY 字数:128m

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品牌:MICRON 类别:集成电路（IC） 格式-内存:RAM 内存大小:1g（128mx8） 标准包装:1000 速度:667兆赫

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品牌:镁光 类别:集成电路（IC） 包装:托盘 包装/箱:78-TFBGA 电源电压:1.425V~1.575V 格式-内存:RAM

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品牌:镁光 格式-内存:RAM 内存类型:DDR3SDRAM 速度:667兆赫 电源电压:1.425V~1.575V 类别:集成电路（IC）

内存条价格 MT41J128M8JP-15E IT:G

品牌:镁光 包装:托盘 类别:集成电路（IC） 标准包装:1000 工作温度:-40°C~95°C 内存类型:DDR3SDRAM

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品牌:镁光 格式-内存:RAM 内存大小:1g（128mx8） 接口:并行 电源电压:1.425V~1.575V 工作温度:-40°C~95°C

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品牌:MICRON 型号:MT41J128M8JP-15E IT:G 类别:集成电路（IC） 格式-内存:RAM 内存大小:1g（128mx8） 接口:并行

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品牌:镁光 型号:MT41J128M8JP-15E IT:G 标准包装:1000 类别:集成电路 包装:托盘 内存类型:DDR3SDRAM

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品牌:MICRON 型号:MT41J128M8JP-15EIT:G 内存大小:1g（128mx8） 分类:集成电路，存储器 内存类型:DDR3SDRAM 包装:托盘

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品牌:海力士 刷新周期:64ms 工作电压:3.3V 位宽:16bit 内存芯片类型:(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM) L:低功耗芯片

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品牌:Micron 封装/箱体:FBGA-96 系列:MT41K 封装:Tray 安装风格:SMD/SMT 子类别:Memory&DataStora 产品类型:DRAM

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产品种类:动态随机存取存储器 封装/箱体:FBGA-96 系列:MT41K 封装:Tray 安装风格:SMD/SMT 产品类型:DRAM

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商标:Micron 安装风格:SMD/SMT 产品类型:DRAM 子类别:Memory&DataStora 封装:Tray 系列:MT41K

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品牌:Micron 封装/箱体:FBGA-96 系列:MT41K 封装:Tray 子类别:Memory&DataStora 产品类型:DRAM

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制造商:Micron 产品种类:动态随机存取存储器 系列:MT41K 封装:Tray 安装风格:SMD/SMT

智能存储芯片，全新现货

品牌:镁光 产品类型:DRAM 安装风格:SMD/SMT 封装:Tray 系列:MT41K 封装/箱体:FBGA-96

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品牌:镁光 种类:动态随机存取存储器 封装/箱体:FBGA96 封装:Tray 系列:MT41K 产品类型:DRAM

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品牌:MICRON 种类:动态随机存取存储器 系列:MT41K 封装:Tray 封装/箱体:FBGA-96

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制造商:MICRON 种类:动态随机存取存储器 系列:MT41K 封装:Tray 安装:SMD/SMT 子类别:Memory&DataStora

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制造商:MICRON 型号:MT41K128M16JT-125IT:K 种类:动态随机存取存储器 系列:MT41K 封装/箱体:FBGA-96 安装风格:SMD/SMT

MT41K256M16HA-107E闪存芯片，热卖中

品牌:镁光 类别:集成电路（IC） 包装:磁带和卷轴(TR) 内存大小:4g (256) 速度:933mhz 工作温度:0°~ 95°C

MT41K256M16HA-107ITE智能手机闪存芯片，原装进口

品牌:镁光 安装类型:表面贴装 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（9x14） 存储器接口:并联 类别:集成电路(ICs)

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品牌:Micron 安装类型:表面贴装 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb（64Mx16） 时钟频率:400MHz 系列:—

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品牌:MICRON 安装类型:表面贴装 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb（64Mx16） 时钟频率:400MHz 系列:—

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品牌:MICRON 安装:表面贴装 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb（64Mx16） 时钟频率:400MHz 系列:—

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品牌:Micron 安装类型:表面贴装 时钟频率:400MHz 存储容量:1Gb（64Mx16） 存储器格式:DRAM 系列:—

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品牌:镁光 电压-电源:1.7V~1.9V 访问时间:400ps 时钟频率:400MHz 存储容量:1Gb（64Mx16） 存储器格式:DRAM

MT41K256M8DA-125K镁光闪存芯片

品牌:镁光 类别:存储 型号:MT41K256M8DA-125K 安装类型:表面贴装 封装/外壳:78-TFBGA 系列:—

海力士存储器H5PS1G63JFR-G7C，现代厂家

品牌:Hynix 类别:存储器 刷新周期:8k/64毫秒 工业温度:-40度~95度 商业温度:0摄氏度~85摄氏度) 封装:—

海力士H5PS1G63JFR存储IC，原装进口

品牌:海力士 类别:存储 刷新周期:8k/64毫秒 工业温度:-40度~95度 VDDQ:1.8+/-0.1v 系列:—

海力士存储芯片

品牌:海力士 封装:TSOP-54 类别:存储器 DRAM:16位同步DRAM 系列:—

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品牌:镁光 类别:存储器 功能:存储 系列:— 封装:—

MT47H64M16NF-25EM 镁光芯片代理商供应

品牌:MICRON 类别:存储器 温度:小于-40°C 周期刷新:64ms 系列:— 封装:—

镁光存储器MT47H64M16NF-25EM，原装供应

品牌:MICRON 类别:存储器 周期刷新:64ms,8192 焊锡球材料:铜或铅共晶 温度:小于-40°C 系列:—

掉电存储芯片

品牌:MICRON 型号:MT47H64M16NF-25EM 类别:存储器 VDDv:1.8±0.1v 焊锡球材料:铜或铅共晶