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会员年限:6年
IC编号:H5TQ2G83FFR-PBC 品牌:海力士 IC代码:256MX8DDR3 IC类别:DDR3SDRAM 封装:FBGA-78 电压(伏):1.5V
发布询价IC编号:H5TQ2G83FFR-PBC 品牌:SKHYNIX/海力士 IC类别:DDR3SDRAM IC代码:256MX8DDR3 封装:FBGA-78 电压(伏):1.5V 字数:256M
发布询价IC编号:HY57V561620CTP-H 品牌:HYNIX/海力士 IC类别:SDRAM IC代码:16MX16 SD 封装:TSOP2 速度:133MHZ
发布询价IC编号:K4T1G164QF-BCE6 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V
发布询价IC编号:K4T1G164QE-HIE6 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:64MX16 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V
发布询价IC编号:K4T1G084QG-BCF8 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 密度:1g
发布询价IC编号:K4T1G084QG-BCF7 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 位组织:x8
发布询价IC编号:K4T1G084QF-BCE7 品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:128MX8 DDR2 封装:FBGA 电压(伏):1.8 V
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