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会员年限:6年
品牌:SAMSUNG/三星 脚位/封装:FBGA 类型:通信IC IC类别:DDR2SDRAM IC代码:32MX16DDR2 电压(伏):1.8V
发布询价品牌:SAMSUNG/三星 封装:BGA 型号/规格:K4T51163QI-HCE6 类型:通信IC IC类别:DDR2SDRAM IC代码:32MX16DDR2
发布询价品牌:三星 IC编号:K4T51163QJBCF8 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:32MX16 DDR2 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8 V
发布询价品牌:三星 IC类别:DDR2 SDRAM IC代码:32MX16 DDR2 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.8 V 字数:32m
发布询价型号:K4T51163QQ-BCF7 电压(伏):1.8V 字数:32m 密度:512m 位组织:x16 品牌:SAMSUNG/三星
发布询价品牌:SAMSUNG/三星 IC类别:GDDR3SDRAM IC代码:64MX16GDDR3 脚位/封装:FBGA 电压(伏):1.5V 字数:64m
发布询价品牌:SAMSUNG/三星 IC编号:K4X51163PI-FGC6 IC类别:DDR1LP SDRAM-MOBILE IC代码:32MX16 LPDDR1 脚位/封装:FBGA 速度:333MHZ
发布询价型号:MT41J128M16HA-125D 品牌:镁光 IC类别:DDR3SDRAM IC代码:128MX16DDR3 字数:128m 位组织:x16
发布询价品牌:MICRON 型号:MT41J128M16HA-125 IT:D 分类:集成电路,存储器 包装:托盘 内存类型:DDR3 SDRAM 内存大小:2g(128m x 16)
发布询价品牌:镁光 型号:MT41J128M16HA-15EIT:D 类别:集成电路,存储器 格式-内存:RAM 内存大小:2g(128m x 16) 速度:667MHz
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